基于反相器的增益提高电路、放大器和接收器制造技术

本发明专利技术提供了基于反相器的增益提高电路、放大器和接收器，电路包括：PMOS管、NMOS管、电流源偏置电路、第一源极退化电阻、第二源极退化电阻和相位调节电容；电流源偏置电路、第一源极退化电阻、PMOS管、NMOS和第二源极退化电阻依次连接，相位调节电容与NMOS管相连接；通过调整相位调节电容的大小，使PMOS管的漏电流和NMOS管的漏电流的相位差为0，将PMOS管的漏电流和NMOS管的漏电流线性叠加后，增益达到最大；本申请通过相位调节电容调节PMOS管和NMOS管的漏电流相位差，使相位差为0，从而使电流叠加，增益达到最大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及射频放大电路，尤其是涉及基于反相器的增益提高电路、放大器和接收器。

技术介绍

1、目前，在反相器结构的放大器中，通常把射频信号增益的跨导近似等于两个mos管跨导的线性叠加，但实际上因为pmos管和nmos管尺寸一般相差较大，会导致两者的源漏之间的电容有一定的差异，进而导致电流对其充放电的过程中相位产生一定的差异，从而导致两个mos管漏电流并非完全的线性叠加，而增益达不到应有的水平。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供基于反相器的增益提高电路、放大器和接收器，通过相位调节电容调节pmos管和nmos管的漏电流相位差，使相位差为0，从而使电流叠加，增益达到最大。

2、第一方面，本专利技术实施例提供了基于反相器的增益提高电路，所述电路包括：pmos管、nmos管、电流源偏置电路、第一源极退化电阻、第二源极退化电阻和相位调节电容；

3、所述电流源偏置电路、所述第一源极退化电阻、所述pmos管、所述nmos和所述第二源极退化电阻依次连接，所述相位调节电容与所述nm本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于反相器的增益提高电路，其特征在于，所述电路包括：PMOS管、NMOS管、电流源偏置电路、第一源极退化电阻、第二源极退化电阻和相位调节电容；

2.根据权利要求1所述的基于反相器的增益提高电路，其特征在于，所述电路还包括稳压电容，所述电流源偏置电路的输出端分别与所述第一源极退化电阻的一端和所述稳压电容的一端相连接，所述第一源极退化电阻的另一端与所述PMOS管的源端相连接。

3.根据权利要求2所述的基于反相器的增益提高电路，其特征在于，所述PMOS管的栅端与所述NMOS管的栅端相连接，并作为输入；所述PMOS管的漏端与所述NMOS管的漏端相连接，并作为输出。...

【技术特征摘要】

1.一种基于反相器的增益提高电路，其特征在于，所述电路包括：pmos管、nmos管、电流源偏置电路、第一源极退化电阻、第二源极退化电阻和相位调节电容；

2.根据权利要求1所述的基于反相器的增益提高电路，其特征在于，所述电路还包括稳压电容，所述电流源偏置电路的输出端分别与所述第一源极退化电阻的一端和所述稳压电容的一端相连接，所述第一源极退化电阻的另一端与所述pmos管的源端相连接。

3.根据权利要求2所述的基于反相器的增益提高电路，其特征在于，所述pmos管的栅端与所述nmos管的栅端相连接，并作为输入；所述pmos管的漏端与所述nmos管的漏端相连接，并作为输出。

4.根据权利要求3所述的基于反相器的增益提高电路，其特征在于，所述nmos管的源端与所述第二源极退化电阻的一端相连接，所述第二源极退化电阻的另一端接地。

5.根据权利要求1所述的基于反相器的增益提高电路，其特征在于，所述电路还包括负反...

【专利技术属性】
技术研发人员：常梦璐，赵烁砾，张福泉，
申请(专利权)人：上海芯璨电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：