半导体结构及其制造方法技术

一种半导体结构，包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底。该半导体结构包括设置在第一表面上的半导体器件。该半导体结构包括设置在第二表面上的金属化层。所述半导体结构包括与所述金属化层并联耦合的第一导电通孔和第二导电通孔，所述第一导电通孔和第二导电通孔从所述第二横向所述第一侧延伸。所述半导体结构还包括布置在所述半导体器件上并耦合到所述第一导电通孔和所述第二导电通孔的电熔丝。本申请的实施例还公开了一种制造半导体结构的方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及半导体结构及其制造方法。

技术介绍

1、电熔丝(electrical fuse，efuse)是用于对集成电路(integrated circuit，ic)芯片(例如计算机芯片)进行重新编程的器件。在一些情形中，efuse可用于提供芯片内效能调整。例如，若ic芯片的组件出现故障，efuse可熔断以改变行为或切换至备用系统(back-up system)中。ic芯片可设置有efuse单元的阵列，efuse单元各自具有一个晶体管一个电阻器(one-transistor-one-resistor)或1t1r架构。例如，每个efuse单元可以包括可操作地耦合至一个熔丝元件或一个电阻器(1r)的一个金属氧化物半导体(metal oxidesemiconductor，mos)(例如，n型mos或nmos)晶体管(1t)。efuse一般而言可借由在电流路径中耦合至电源的弱迹线(weak trace)来实施，使得当向efuse提供足够高电平的电压(电力)或电流时，efuse将在其他电路(或其他电路组件)之前发生故障，借此对ic芯片的行为进行调整。尽管现有的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体器件包括插在一对源极/漏极结构之间的栅极结构，并且其中，所述第一导电通孔从所述第二表面耦合到所述源极/漏极结构中的一个的底表面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述金属化层是第一金属化层，所述半导体结构还包括耦合到所述半导体器件的第二金属化层，其中，所述第二导电通孔至少延伸穿过所述衬底以将所述第一金属化层耦合到所述第二金属化层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，还包括延伸穿过所述衬底以将所述第一金属化层耦合到所述第二金属化层的第三导电通孔，所述第三导电通孔和...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体器件包括插在一对源极/漏极结构之间的栅极结构，并且其中，所述第一导电通孔从所述第二表面耦合到所述源极/漏极结构中的一个的底表面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述金属化层是第一金属化层，所述半导体结构还包括耦合到所述半导体器件的第二金属化层，其中，所述第二导电通孔至少延伸穿过所述衬底以将所述第一金属化层耦合到所述第二金属化层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，还包括延伸穿过所述衬底以将所述第一金属化层耦合到所述第二金属化层的第三导电通孔，所述第三导电通孔和所述第二导电通孔并联耦合。

5.根据权利要求3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈家忠，张盟昇，袁忠盛，郑仪侃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：