一种复合薄膜加工方法及复合薄膜技术

本申请提供一种复合薄膜加工方法及复合薄膜，所述方法包括：获取待加工复合薄膜的翘曲度；判断所述翘曲度是否处于翘曲度设定范围内，若是，则获取所述待加工复合薄膜的待去除量；若所述待去除量小于等于2微米，则采用电子束刻蚀工艺的加工方法；若所述待去除量小于等于4微米，则采用化学机械抛光工艺的加工方法，以解决目前的复合薄膜衬底层孔隙率偏高以及结合强度不足导致的高温应力耐受性偏低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体元件加工，尤其涉及一种复合薄膜加工方法及复合薄膜。

技术介绍

1、在复合薄膜制备加工过程中，所获取的复合薄膜往往需要进行多个工艺的处理，在进行复合薄膜减薄处理中，可选处理工艺有多种，对于不同的减薄工艺的选择对复合薄膜的后续加工有着不同的影响。通过选取不同类型的加工工艺对复合薄膜进行加工从而满足复合薄膜的翘曲度和ttv(总厚度偏差)加工需求。

2、例如：基于键合技术制造金刚石复合衬底的复合薄膜，面临金刚石翘曲度、ttv、表面粗糙度的加工难题，使得金刚石复合衬底的制造难度和成本大大增加；即便金刚石与表面薄膜材料的成功键合集成，其键合率也较低，键合强度不均匀，也会面临后续1100℃高温应力的严峻考验。

3、因此，如何根据复合薄膜的材料类型，以及加工后复合薄膜的ttv和翘曲度，选择何种复合薄膜制备方法是急需解决的问题，以解决复合薄膜衬底层孔隙率偏高(键合率低)以及结合强度不足导致的高温应力耐受性偏低的问题。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种复合薄膜加工方法及复合薄膜，以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合薄膜加工方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种复合薄膜加工方法，其特征在于，所述若所述待去除量小于等于2微米，则采用电子束刻蚀工艺的加工方法包括：

3.根据权利要求2所述的一种复合薄膜加工方法，其特征在于，所述利用电子束刻蚀工艺去除所述待加工复合薄膜第二面的预设厚度薄膜层之后，包括：

4.根据权利要求3所述的一种复合薄膜加工方法，其特征在于，所述对所述待加工复合薄膜进行高温退火操作之后，包括：

5.根据权利要求1所述的一种复合薄膜加工方法，其特征在于，所述若所述去除量小于等于4微米，则采用化学机械抛光工艺的加工方...

【技术特征摘要】

1.一种复合薄膜加工方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种复合薄膜加工方法，其特征在于，所述若所述待去除量小于等于2微米，则采用电子束刻蚀工艺的加工方法包括：

3.根据权利要求2所述的一种复合薄膜加工方法，其特征在于，所述利用电子束刻蚀工艺去除所述待加工复合薄膜第二面的预设厚度薄膜层之后，包括：

4.根据权利要求3所述的一种复合薄膜加工方法，其特征在于，所述对所述待加工复合薄膜进行高温退火操作之后，包括：

5.根据权利要求1所述的一种复合薄膜加工方法，其特征在于，所述若所述去除量小于等于4微米，则采用化学机械抛光...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷菲菲，连坤，陈明珠，王金翠，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：