【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及pzt基陶瓷，具体是一种pzt基陶瓷的快速制备方法。
技术介绍
1、pzt陶瓷因具有良好的压电和介电性能而被广泛应用于压电换能器以及压电陶瓷振子等领域。然而，由于pb的易挥发性，导致在烧结制备过程中经常会造成材料组分偏离初始设计组分，进而影响材料性能。虽然通过掺杂烧结助剂等方法可以改善材料的烧结特性，但材料的电性能往往也会受到影响。为了解决上面这些问题，促进材料中物质扩散速率，有效降低了材料烧结温度和时间，出现了通过施加电场的方法对陶瓷进行烧结的技术，也就是闪烧。闪烧降低了陶瓷的烧结温度同时减少了陶瓷的烧结时间。
2、闪烧作为一种新型的陶瓷烧结方法，可以应用于pzt陶瓷烧结中，而膨胀蛭石作为陶瓷成分的添加料也常用于陶瓷烧结中，膨胀蛭石的添加可以改变陶瓷的微观结构，提高陶瓷粉体均匀性，改善其物理性能和化学稳定性，此外，膨胀蛭石还可以提高陶瓷的强度、韧性和抗冲击性。虽然，膨胀蛭石具有很多的优异性能，但是膨胀蛭石由于本身电阻较大，容易对pzt陶瓷本身的压电性能造成影响，降低了pzt陶瓷产生的电流强度，因此，并不适合直...
【技术保护点】
1.一种PZT基陶瓷的快速制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种PZT基陶瓷的快速制备方法，其特征在于，所述步骤S1中膨胀蛭石的粒度不低于70目。
3.根据权利要求1所述的一种PZT基陶瓷的快速制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的陶瓷粉体为PZT、钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶、锰钴镍三元二元氧化物中其中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的一种PZT基陶瓷的快速制备方法，其特征在于，所述步骤S2中使用的陶瓷粉体可以是经过预烧的，也可以是组成陶瓷的几种初始粉体。
5.根据权利要求3所述的一种PZT...
【技术特征摘要】
1.一种pzt基陶瓷的快速制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种pzt基陶瓷的快速制备方法，其特征在于，所述步骤s1中膨胀蛭石的粒度不低于70目。
3.根据权利要求1所述的一种pzt基陶瓷的快速制备方法，其特征在于，所述步骤s2中的陶瓷粉体为pzt、钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶、锰钴镍三元二元氧化物中其中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的一种pzt基陶瓷的快速制备方法，其特征在于，所述步骤s2中使用的陶瓷粉体可以是经过预烧的，也可以是组成陶瓷的几种初始粉体。<...
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