一种激光器制造技术

本申请公开了一种激光器，属于半导体技术领域，该方法包括：衬底、p型电极和n型电极；衬底表面设置有外延结构；外延结构包括沿背离衬底的方向依次设置的下限制层、下波导层、量子阱层、势垒层、上波导层、上限制层和p型电极接触层；量子阱层和势垒层构成异质结，以在量子阱层和势垒层形成的异质界面处产生二维电子气；外延结构背离衬底的表面包括脊状波导区域和第一凹槽区域；p型电极设置在脊状波导区域，与p型电极接触层欧姆接触；n型电极设置在第一凹槽区域，与下波导层或量子阱层欧姆接触。本申请不会受到电离杂质的影响，具有很高的电子迁移率和相对较低的串联电阻，在大功率条件下产生较少的热量，从而提高了激光器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别涉及一种激光器。

技术介绍

1、氮化镓(gan)、氮化铝(aln)、氮化铟(inn)和它们的多元材料属于直接带隙半导体，具有可调的禁带宽度，光谱范围可覆盖紫外到红外波段，耐高温、抗辐射和耐腐蚀的优点，广泛应用于半导体激光器、发光二极管和高电子迁移率晶体管等光电子、高频和高功率半导体器件。gan基激光器是十分重要的光电子器件，具有低成本、寿命长、集成度高等优势，可被广泛应用于激光显示、照明、无线光通信、医疗等领域。然而，传统的基于gan的边发射激光器是利用n型掺杂的gan和铝氮化镓(algan)体材料来进行电子的注入，电子的注入过程会受到电离杂质散射，降低了电子的迁移率，导致具有相对较高的串联电阻，尤其在大功率工作状态下将产生大量热，影响器件性能。因此，如何降低激光器的串联电阻，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种激光器，采用二维电子气实现电子注入，取代了传统n型gan或algan体材料的电子注入方式，从而降低激光器的串联电阻。

2本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光器，其特征在于，包括：衬底、p型电极和n型电极；所述衬底表面设置有外延结构；所述外延结构包括沿背离所述衬底的方向依次设置的下限制层、下波导层、量子阱层、势垒层、上波导层、上限制层和p型电极接触层；

2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述衬底靠近所述下限制层的表面还设置有缓冲层；所述缓冲层是非故意掺杂的GaN层，或是AlGaN层；所述缓冲层的厚度为2μm～30μm，且包括两端的值。

3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述下限制层是非故意掺杂的AlGaN层；所述下限制层中Al组分为0.05～0.25，且包括两端的值；所述下限制层的厚度为...

【技术特征摘要】

1.一种激光器，其特征在于，包括：衬底、p型电极和n型电极；所述衬底表面设置有外延结构；所述外延结构包括沿背离所述衬底的方向依次设置的下限制层、下波导层、量子阱层、势垒层、上波导层、上限制层和p型电极接触层；

2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述衬底靠近所述下限制层的表面还设置有缓冲层；所述缓冲层是非故意掺杂的gan层，或是algan层；所述缓冲层的厚度为2μm～30μm，且包括两端的值。

3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述下限制层是非故意掺杂的algan层；所述下限制层中al组分为0.05～0.25，且包括两端的值；所述下限制层的厚度为0.5μm～1.5μm，且包括两端的值。

4.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述下波导层是非故意掺杂的ingan层；所述下波导层中in组分为0～0.1，且包括两端的值；所述下波导层的厚度为0.1μm～0.5μm，且包括两端的值。

5.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述量子阱层是非故意掺杂的ingan层；所述量子阱层中in组分为0.15～0.3，且包括两端的值；所述量子阱层的厚度为2nm～4nm，且包括两端的值。

6.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述上波导层是非故意掺杂的ingan层；所述上波导层中in组分为0～0.1，且包括两端的值；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈超，贾浩林，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：