【技术实现步骤摘要】
本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种金属硫族化合物单晶薄膜及其制备方法。
技术介绍
1、二维金属硫族化合物，尤其是二维过渡金属硫族化合物在整个20世纪都是不可或缺的，并且是一系列现代化学、光学、电子以及光电子应用中极具前途的材料。
2、目前，基于表面模式的化学气相沉积技术被认为是制备二维金属硫族化合物的有效方法。但是，大规模生产晶圆级、纯相金属硫族化合物单晶薄膜至今仍无法实现。
技术实现思路
1、本申请提供了一种金属硫族化合物单晶薄膜及其制备方法，其能够大规模生产并获得晶圆级、纯相、可控厚度的金属硫族化合物单晶薄膜。
2、本申请的实施例是这样实现的：
3、在第一方面，本申请示例提供了一种金属硫族化合物单晶薄膜，其包括依次堆叠的多层菱方相或六方相金属硫族化合物单晶晶粒，每层金属硫族化合物单晶晶粒单向取向，且任意相邻的两层金属硫族化合物单晶晶粒的单向取向方向平行。
4、本申请提供的金属硫族化合物单晶薄膜，通过上述平行堆叠的多层单向相结构相同的金...
【技术保护点】
1.一种金属硫族化合物单晶薄膜，其特征在于，包括依次堆叠的多层菱方相或六方相金属硫族化合物单晶晶粒，每层所述金属硫族化合物单晶晶粒单向取向，且任意相邻的两层所述金属硫族化合物单晶晶粒的单向取向方向平行。
2.根据权利要求1所述的金属硫族化合物单晶薄膜，其特征在于，所述金属硫族化合物包括过渡金属硫族化合物及其衍生物中的至少一种，其中，所述过渡金属硫族化合物包括钛、锆、铪、钒、铌、钽、钼、钨、钴、铑、铱、钯、铂、铬、锰、铁对应的硫化物、硒化物、碲化物中的至少一种；
3.根据权利要求1所述的金属硫族化合物单晶薄膜，其特征在于，所述金属硫族化合物单晶薄...
【技术特征摘要】
1.一种金属硫族化合物单晶薄膜，其特征在于，包括依次堆叠的多层菱方相或六方相金属硫族化合物单晶晶粒，每层所述金属硫族化合物单晶晶粒单向取向，且任意相邻的两层所述金属硫族化合物单晶晶粒的单向取向方向平行。
2.根据权利要求1所述的金属硫族化合物单晶薄膜，其特征在于，所述金属硫族化合物包括过渡金属硫族化合物及其衍生物中的至少一种，其中，所述过渡金属硫族化合物包括钛、锆、铪、钒、铌、钽、钼、钨、钴、铑、铱、钯、铂、铬、锰、铁对应的硫化物、硒化物、碲化物中的至少一种；
3.根据权利要求1所述的金属硫族化合物单晶薄膜，其特征在于，所述金属硫族化合物单晶薄膜的厚度为0.65nm-1cm，尺寸大小为1μm-1m。
4.如权利要求1-3任意一项所述的金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述预...
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