沟槽型碳化硅JBS二极管器件制造技术

沟槽型碳化硅JBS二极管器件。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的背面加厚金属、背面欧姆接触金属、碳化硅衬底、碳化硅外延层和N型注入区；所述N型注入区的顶面设有伸入碳化硅外延层的终端沟槽和若干间隔设置的源区沟槽；所述源区沟槽的槽底设有向下延伸的P型注入区；所述N型注入区的深度小于P型注入区的深度；所述终端沟槽的顶面设有伸入碳化硅外延层的P型主结和若干间隔设置的P型分压环；所述碳化硅外延层上设有覆盖P型主和若干P型分压环的场氧层；本技术通过终端沟槽刻蚀掉终端区表面的N型注入区，可以减小N型注入区对终端耗尽区扩展影响，提高了器件终端效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，尤其涉及沟槽型碳化硅jbs二极管器件。

技术介绍

1、碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料。相比传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和飘移速率为硅的2-3倍，满足了现代工业需求。其下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5g通信，在功率器件领域碳化硅二极管早已开始商业化应用。

2、目前市面上主流的sic二极管产品，基本上采用jbs结构，即pn结二极管+肖特基结二极管，其电压范围主要在：650v-1700v，电流范围：2a-50a。正向导通压降vf是衡量二极管正向导通性能最重要的参数，目前主要降低vf值的方法有：通过增大芯片面积、衬底背面减薄、改变肖特基接触金属等方式。但这些方法都有明显的缺点：增大芯片面积会减少单片芯片数量，增加了单颗芯片成本；衬底背面减薄技术壁垒较高且对晶圆运输提出了更高的要求，容易导致裂片；改变肖特基接触金属，商业化应用还不成熟，制造成本较高。

3、本文提出沟槽型碳化硅jbs二极管器件，在制造成本增加较少的情况下，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.沟槽型碳化硅JBS二极管器件，包括从下而上依次设置的背面加厚金属（15）、背面欧姆接触金属（14）、碳化硅衬底（1）、碳化硅外延层（2）和N型注入区（3）；其特征在于，

2.根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅JBS二极管器件，其特征在于，所述碳化硅衬底（1）和碳化硅外延层（2）导电类型均为N型。

3.根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅JBS二极管器件，其特征在于，所述源区沟槽（4）和终端沟槽（5）的深度相同。

4.根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅JBS二极管器件，其特征在于，所述源区沟槽（4）和P型注入区（6）的宽度相同；

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.沟槽型碳化硅jbs二极管器件，包括从下而上依次设置的背面加厚金属（15）、背面欧姆接触金属（14）、碳化硅衬底（1）、碳化硅外延层（2）和n型注入区（3）；其特征在于，

2.根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅jbs二极管器件，其特征在于，所述碳化硅衬底（1）和碳化硅外延层（2）导电类型均为n型。

3.根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅jbs二极管器件，其特征在于，所述源区沟槽（4）和终端沟槽（5）的深度相同。

4.根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅jbs二极管器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王坤，杨程，万胜堂，王正，陈鸿骏，赵耀，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：