制造自旋霍尔振荡器件的方法及自旋霍尔振荡器件技术

本公开提供了一种制造自旋霍尔振荡器件的方法及自旋霍尔振荡器件，可以应用于自旋电子技术领域。该方法包括：在衬底上沿竖直方向依次设置重金属层、自由层、间隔层、参考层和钉扎层，得到叠层；图形化叠层；对图形化后的叠层进行退火操作，以使自由层的磁化易轴方向与电流方向的夹角为θ°，参考层的磁化易轴方向与电流方向平行，其中，电流方向与竖直方向垂直，0＜θ＜90。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及自旋电子，尤其涉及一种制造自旋霍尔振荡器件的方法及自旋霍尔振荡器件。

技术介绍

1、自旋霍尔振荡器(spin hall oscillator，sho)是一种在自旋电子学领域新兴的微波器件，其尺寸在百纳米级，能够与互补金属氧化物半导体(complementary metaloxide semiconductor，cmos)工艺兼容。并且，相较于自旋转矩纳米振荡器等器件的制造工艺，sho的制造工艺难度更低。

2、在实现本公开构思的过程中，专利技术人发现相关技术中至少存在如下问题：相关技术中的自旋霍尔振荡器在工作的情况下，需要外加磁场，并且输出的微波信号功率比较低。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本公开提供了一种制造自旋霍尔振荡器件的方法及自旋霍尔振荡器件。

2、根据本公开的第一个方面，提供了一种制造自旋霍尔振荡器件的方法，包括；

3、在衬底上沿竖直方向依次设置重金属层、自由层、间隔层、参考层和钉扎层，得到叠层；

4、图形化上述叠层；</p>

5、对图本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造自旋霍尔振荡器件的方法，包括；

2.根据权利要求1的方法，其中，所述退火操作包括一次退火和二次退火，所述一次退火的退火温度和退火时间均大于所述二次退火的退火温度和退火时间。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述一次退火的退火方向与电流方向平行，退火温度小于300K，退火时间大于1小时。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述二次退火的退火方向与所述电流方向垂直。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图形化所述叠层，包括：

6.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，所述钉扎层的钉扎方向与所述电流方向平行...

【技术特征摘要】

1.一种制造自旋霍尔振荡器件的方法，包括；

2.根据权利要求1的方法，其中，所述退火操作包括一次退火和二次退火，所述一次退火的退火温度和退火时间均大于所述二次退火的退火温度和退火时间。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述一次退火的退火方向与电流方向平行，退火温度小于300k，退火时间大于1小时。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述二次退火的退火方向与所述电流方向垂直。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图形化所述叠层，包括：

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉民，石佳林，
申请(专利权)人：中国科学院空天信息创新研究院，
类型：发明
国别省市：