【技术实现步骤摘要】
本技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种焊点连接结构、电池、背接触电池、电池组件和光伏系统。
技术介绍
1、目前，在太阳能电池片(例如topcon太阳能电池片、hjt太阳能电池片、背接触太阳能电池片等)中，都通常设置有p型掺杂层，在p型掺杂层上则设有由于焊接的焊点。然而，p型焊点下方为p型掺杂层，p型掺杂层与钝化膜层之间的拉力较弱，设置在钝化膜层上的焊点在进行焊接时容易出现焊点处拉力不够而导致脱离的情况。
2、以背接触太阳能电池为例，由于背接触太阳能电池将发射极和基极接触电极均放置在电池背面(非受光面)的电池，该电池的受光面无任何金属电极遮挡，可有效增加了电池片的短路电流，进而提高转换效率，因此，为了提高电池片的转化效率，背接触太阳能电池成为了主要的研究方向。
3、在相关技术中，背接触太阳能电池的背面的副栅和主栅通常设计为叉指状，在主栅下方具有对应极性的掺杂层，在主栅处设有间隔的若干焊点用于焊接，焊点的底部嵌入至钝化膜层内。然而，在p型主栅上的p型焊点下方为p型掺杂层，p型掺杂层与钝化膜层之间的拉力较弱，在焊点嵌入至钝...
【技术保护点】
1.一种焊点连接结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的焊点连接结构，其特征在于，所述P型掺杂层与所述硅衬底之间设有隧穿氧化层或本征非晶硅层。
3.根据权利要求1所述的焊点连接结构，其特征在于，所述预设区域的面积大于或者等于所述P型焊点在所述硅衬底上的投影面积，所述P型焊点完全位于所述预设区域内。
4.根据权利要求1所述的焊点连接结构，其特征在于，所述N型掺杂层的厚度为5nm-400nm。
5.根据权利要求1所述的焊点连接结构，其特征在于，所述隔离层的厚度大于2nm。
6.根据权利要求1所述的焊点连...
【技术特征摘要】
1.一种焊点连接结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的焊点连接结构，其特征在于，所述p型掺杂层与所述硅衬底之间设有隧穿氧化层或本征非晶硅层。
3.根据权利要求1所述的焊点连接结构，其特征在于，所述预设区域的面积大于或者等于所述p型焊点在所述硅衬底上的投影面积，所述p型焊点完全位于所述预设区域内。
4.根据权利要求1所述的焊点连接结构，其特征在于，所述n型掺杂层的厚度为5nm-400nm。
5.根据权利要求1所述的焊点连接结构，其特征在于，所述隔离层的厚度大于2nm。
6.根据权利要求1所述的焊点连接结构，其特征在于，所述隔离层包括氧化硅膜层、氮化硅膜层、氧化铝膜层、氮氧化硅膜层、碳化硅膜层以及本征非晶硅膜层中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的焊点连接结构，其特征在于，所述钝化膜层包括氮化硅膜层、氧化铝膜层、氮氧化硅膜层、本征非晶硅膜层、tco膜层中的至少一种。
8.一种电池，其特征在于，包括权利要求1-7中任一项所述的焊点连接结构。
9.一种背接触电池，其特征在于，包括：
10.一种背接触电池，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的背接触电池，其特征在于，所述第三n型掺杂层在所述背光面上的投影面积大于或者等于所述p型焊点在所述背光面上的投影面积，所述p型焊点完全位于所述第三n型掺杂层的投影区域内。
12.根据权利要求10所述的背接触电池，其特征在于，在所述第一方向上，所述p型焊点的长度大于所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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