【技术实现步骤摘要】
本申请涉及传感器,具体涉及一种高压传感器。
技术介绍
1、mems(微机械系统,micro-electro-mechanical system)压力传感器是一种广泛使用的压力传感器,其通过硅膜变形引起其上通过扩散工艺形成的半导体电阻的阻值变化而向外输出电测量信号。mems压力芯片被制作于玻璃基础上,在使用时则使玻璃基础通过胶水粘接于基板上。这些粘接胶水在数兆帕的压力下即会有很大的密封失效和硅膜破裂的风险。
2、本部分中的陈述仅提供与本申请相关的背景信息并且可以不构成现有技术。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足,本申请提供了一种高压传感器,以使其能够耐受较高的压力。
2、为实现上述目的,本申请提供如下技术方案:一种高压传感器,其包括:
3、由第一金属制得的压力接头,其底端具有一压力引入通道,压力引入通道的顶端一侧形成一配合孔,压力接头的外缘朝顶端一侧延伸形成壳部;
4、密封地盖合至壳部并与压力接头合围形成安装腔的插接头;
5、位
...【技术保护点】
1.一种高压传感器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的高压传感器,其特征在于,所述第二金属为钢或钛合金,所述第一金属为铝、合金或铜。
3.根据权利要求1所述的高压传感器,其特征在于,本体(20)的顶部形成有位于金属弹性膜片(25)径向外侧的一圈受压部(20a)。
4.根据权利要求1所述的高压传感器,其特征在于,一圈支撑部(26a)形成于本体(20)顶部朝外凸伸形成一第一连接部(26)的外周,支撑部(26a)与本体(20)顶部之间相应地形成一圈应力隔离槽(26b);金属弹性膜片(25)的底部气密地焊接至支撑部(26a)。
...【技术特征摘要】
1.一种高压传感器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的高压传感器,其特征在于,所述第二金属为钢或钛合金,所述第一金属为铝、合金或铜。
3.根据权利要求1所述的高压传感器,其特征在于,本体(20)的顶部形成有位于金属弹性膜片(25)径向外侧的一圈受压部(20a)。
4.根据权利要求1所述的高压传感器,其特征在于,一圈支撑部(26a)形成于本体(20)顶部朝外凸伸形成一第一连接部(26)的外周,支撑部(26a)与本体(20)顶部之间相应地形成一圈应力隔离槽(26b);金属弹性膜片(25)的底部气密地焊接至支撑部(26a)。
5.根据权利要求1所述的高压传感器,其特征在于,插接部(21)外壁上形成至少一圈挤压槽(23,24),挤压槽(23,24)的顶部边缘外径大于挤压槽(23,24)的底部边缘外径;配合孔(12b)内壁较上一侧的材料被挤压槽(23,24)的顶部边缘朝下压塌压挤至挤压槽(23,24)和配合孔(12b)内壁较下一侧所合围空间中而形成使插接部(21)和配合孔(12b)相密封的第一压挤成型部(12d)。
6.根据权利要求5所述的高压传感器,其特征在于,插接部(21)外壁上形成至少一圈收容槽(28),配合孔(12b)内壁较上一侧被...
【专利技术属性】
技术研发人员:李凡亮,王小平,曹万,吴登峰,赵鹍,李兵,
申请(专利权)人:武汉飞恩微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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