一种二硒化铼的制备方法技术

本发明专利技术属于二维材料制备技术领域，公开了一种二硒化铼的制备方法，包括原料准备、原料装载、控温反应、结束取样等步骤，通过叠层基底构建限域生长空间，采用双温区管式炉石英管制备得到单层枝晶形貌的ReSe<subgt;2</subgt;。本发明专利技术所述方法简单易操作，过程可控，不仅获得了厚度均匀、结晶性高的单层ReSe<subgt;2</subgt;，而且通过调控基底材料、反应温度、铼源前驱体溶液浓度实现了不同枝晶形貌ReSe<subgt;2</subgt;的调控。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于二维材料制备，具体是涉及一种二硒化铼的制备方法。

技术介绍

1、二维过渡金属硫族化合物(tmds)因具有原子级厚度、高比表面积、表面无悬挂键、层间范德华力等理化性质，使得在光学、电学、催化、能源等领域应用广泛。低对称性二维二硒化铼(rese2)是二维tmds的典型代表，具有面内各向异性、层间弱耦合、边缘催化活性高等性质，使其在光电器件、生物医学和电催化等领域具有广阔发展前景。二维rese2因其优异的性能有望成为一种新型高效催化剂，理论计算表明二维rese2的析氢催化反应活性位点主要集中在边缘，而非基面，为了进一步提升二维rese2的电催化性，亟需开发枝晶形貌rese2的可控制备方法。

2、目前常用的制备方法有：机械剥离、液相剥离、化学气相传输、化学气相沉积(cvd)和物理气相传输。相对与其他方法，cvd具有高产率、高质量等优势。在现有cvd方法中，由于前驱体的挥发速率以及气体流速难以精确调控，导致制备高质量薄层枝晶形貌仍rese2存在以下局限性：(1)难以实现形貌的可控制备；(2)实验可复现性差；(3)难以实现较大面积均匀分布。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二硒化铼的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的二硒化铼的制备方法，其特征在于，在S1中，所述第一基底和所述第二基底的材料为c面蓝宝石、氧化硅、氧化镁中的一种，所述第一基底和所述第二基底的材料相同或不同。

3.如权利要求1所述的二硒化铼的制备方法，其特征在于，在S1中，所述高铼酸铵溶液浓度为0.015～0.15mol/L。

4.如权利要求1所述的二硒化铼的制备方法，其特征在于，在S1中，将所述第一基底放置在旋涂机上，采用微量进样器吸取所述高铼酸铵溶液滴加在所述第一基底表面；旋涂机的转速为500～5000rpm，旋涂时间为3...

【技术特征摘要】

1.一种二硒化铼的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的二硒化铼的制备方法，其特征在于，在s1中，所述第一基底和所述第二基底的材料为c面蓝宝石、氧化硅、氧化镁中的一种，所述第一基底和所述第二基底的材料相同或不同。

3.如权利要求1所述的二硒化铼的制备方法，其特征在于，在s1中，所述高铼酸铵溶液浓度为0.015～0.15mol/l。

4.如权利要求1所述的二硒化铼的制备方法，其特征在于，在s1中，将所述第一基底放置在旋涂机上，采用微量进样器吸取所述高铼酸铵溶液滴加在所述第一基底表面；旋涂机的转速为500～5000rpm，旋涂时间为30～60s。

5.如权利要求1至5中任一项所述的二硒化铼的制备方法，其特征在于，在s1中，旋涂时所述高铼酸铵溶液的滴加量为30～80μl/cm2。

6.如权利要求1所述的二硒化铼的制备方法，其特征在于，在s2中，所述硒源为硒粉，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王珊珊，邢欢欢，蒋俊杰，薛申奥，罗政，盛丽萍，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：