【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件。
技术介绍
1、传统荧光掺杂材料受限于早期的技术，只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低(最高为25％)，外量子效率普遍低于5％，与磷光器件的效率还有很大差距。磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达100％。但多数磷光材料价格昂贵，材料稳定性较差，色纯度较差，器件效率滚落严重等问题限制了其在oled的应用。
2、随着5g时代的到来，对显色标准提出了更高的要求，发光材料除了高效、稳定，也需要更窄的半峰宽以提升器件发光色纯度。荧光掺杂材料可通过分子工程，实现高荧光量子、窄半峰宽，蓝色荧光掺杂材料已获得阶段性突破，硼类材料半峰宽可降低至30nm以下；而人眼更为敏感的绿光区域，研究主要集中在磷光掺杂材料，但其发光峰形难以通过简单方法缩窄，因此为满足更高的显色标准，研究窄半峰宽的高效绿色荧光掺杂材料具有重要意义。
3、另外，敏化技术将三...
【技术保护点】
1.一种含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(A-1)所示：
2.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构为通式(A)所示：
3.根据权利要求2所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构为通式(1-1)至通式(1-2)任一项所示：
4.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构为通式(1-3)至通式(1-4)任一项所示：
5.根据权利要求2所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构为通式(2)所示：
...【技术特征摘要】
1.一种含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(a-1)所示：
2.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构为通式(a)所示：
3.根据权利要求2所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构为通式(1-1)至通式(1-2)任一项所示：
4.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构为通式(1-3)至通式(1-4)任一项所示：
5.根据权利要求2所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构为通式(2)所示：
6.根据权利要求2所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构为通式(2-1)至通式(2-2)任一项所示：
7.根据权利要求2所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构为通式(3-1)所示：
8.根据权利要求1-7任一项所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述r、r1-r21分别独立的表示为氢原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、金刚烷基、甲基、氘代甲基、氚代甲基、三氟甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、环戊基、氘代环戊基、氚代环戊基、甲基取代的环戊基、环己基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、二苯醚基、甲基取代的二苯醚基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、n-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹旭东，战鸽，吴江，梁啸，陈尚千，段炼，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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