抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

包含下述式(1)所示的化合物和溶剂的、抗蚀剂下层膜形成用组合物。(在式(1)中，X各自独立地表示卤原子、或具有至少1个卤原子的1价有机基。Y表示n价基团。n表示2～6的整数。)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及在半导体制造中的光刻工艺中，特别是在最尖端(arf、euv、eb等)的光刻工艺中可以使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，涉及应用了由上述抗蚀剂下层膜形成用组合物获得的抗蚀剂下层膜的带有抗蚀剂图案的半导体基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、一直以来在半导体装置的制造中，通过使用抗蚀剂组合物的光刻进行微细加工。上述微细加工为通过在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，在其上经由描绘了器件的图案的掩模图案而照射紫外线等活性光线，进行显影，以所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对基板进行蚀刻处理，从而在基板表面形成与上述光致抗蚀剂图案对应的微细凹凸的加工法。近年来，半导体器件的高集成度化发展，所使用的活性光线除了以往使用的i射线(波长365nm)、krf准分子激光(波长248nm)、arf准分子激光(波长193nm)以外，还在最尖端的微细加工中研究了euv光(波长13.5nm)或eb(电子射线)的实用化。与此相伴，由来自半导体基板等的影响引起的、抗蚀剂图案形成不良成为大问题。因此为了解决该问题，广泛研究了在抗蚀剂与半导体基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)所示的化合物、和溶剂，

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，X由下述式(2)表示，

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，X1为具有至少1个卤原子的碳原子数1～12的烷基。

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，Y的构成原子数为5～30。

5.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，Y具有碳原子、以及氮原子和氧原子中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，Y由下述式(11)或(12)表示，</p>

7.根据...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)所示的化合物、和溶剂，

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，x由下述式(2)表示，

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，x1为具有至少1个卤原子的碳原子数1～12的烷基。

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，y的构成原子数为5～30。

5.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，y具有碳原子、以及氮原子和氧原子中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，y由下述式(11)或(12)表示，

7.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，x所具有的卤原子的数目为1～5。

8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水祥，武田谕，加藤宏大，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：