【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于工业电力测试，具体涉及一种动态侦测式局放耐压测试方法、设备及介质。
技术介绍
1、变压器局部放电试验是为了检查变压器的绝缘性能，当变压器在额定电压下运行时，其绝缘的某些薄弱环节会发生放电(即局放)，长此以往，导致绝缘性能下降，甚至绝缘击穿，影响变压器安全运行，而耐压和冲击绝缘试验对此是无法考核的。因此为了避免由于局放而引发的变压器故障，应用局部放电试验考虑变压器的局部放电性能。耐压测试的基本原理，是把一个高于正常工作的电压加在被测设备的绝缘体上，并持续一段规定的时间，如果期间的绝缘性足够好，加在上面的电压就只会产生很小的漏电流。如果一个被测设备绝缘体在规定的时间内，其漏电电流保持在规定的范围内，就可以确定这个被测设备可以在正常的运行条件下安全运行。
2、现有技术的局部试验与耐压试验分别执行，相互独立，彼此不联系，并且其中耐压试验是破坏性试验，即直接将高于正常工作的电压加在被测设备的绝缘体上，如此很可能直接破坏到被测设备。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种动态侦测式局放耐压测试方法、设备及介质，能够针对目标导体外部的绝缘层，实现非破坏性局放与耐压检测，有效提高了检测工作效率。
2、本专利技术为了解决上述技术问题采用以下技术方案：
3、本专利技术第一方面，提供了一种动态侦测式局放耐压测试方法，用于针对目标导体外部的绝缘层，实现局放与耐压检测，包括如下步骤：
4、步骤a.针对目标导体施加其所对应的额定电
5、步骤b.检测目标导体外部绝缘层的当前泄露电流，并判断当前泄露电流是否属于预设局放电流范围，是则将当前泄露电流作为待比较电流a，并进入步骤c；否则表示目标导体绝缘层不通过局放测试，测试结束；
6、步骤c.将目标导体所对应的额定电压作为当前电压，并初始化增量电压，且额定电压以增量电压更新后，目标导体外部绝缘层所产生的泄露电流小于预设泄露电流上限，然后进入步骤d；
7、步骤d.针对当前电压，以增量电压进行升压更新，并施加于目标导体上，持续预设第二时长，然后进入步骤e；
8、步骤e.检测目标导体外部绝缘层的当前泄露电流，并将当前泄露电流更新作为待比较电流b，获得待比较电流b相对于待比较电流a的增长比例c，然后进入步骤f；
9、步骤f.以待比较电流b、按增长比例c计算更新预测电流d，判断预测电流d是否超过预设泄露电流上限，是则进入步骤g；否则进入步骤h；
10、步骤g.计算待比较电流b与预设泄露电流上限之间差值的预设电流百分比、相对待比较电流b的占比值e，针对增量电压乘以占比值e进行更新，并以待比较电流b的值针对待比较电流a进行更新，然后返回步骤d；其中，预设电流百分比小于1；
11、步骤h.判断预测电流d与预设泄露电流上限之间差值是否属于预设电流接近范围，是则针对当前电压，以增量电压进行升压更新，作为目标导体绝缘层所对应的最高耐压值，测试结束；否则进入步骤i；
12、步骤i.计算预测电流d与预设泄露电流上限之间差值的预设电流百分比、相对待比较电流b的占比值f，获得增长比例e与占比值f之和g，针对增量电压乘以g进行更新，并以待比较电流b的值针对待比较电流a进行更新，然后返回步骤d。
13、作为本专利技术的一种优选技术方案：还包括步骤hi如下，所述步骤h中，若预测电流d与预设泄露电流上限之间差值属于预设电流接近范围，则进入步骤hi；
14、步骤hi.针对当前电压，以增量电压进行升压更新，并施加于目标导体上，持续预设第二时长，然后检测目标导体外部绝缘层的泄露电流，并判断该泄露电流与预设泄露电流上限之间差值是否属于预设电流接近范围，是则以当前电压作为目标导体绝缘层所对应的最高耐压值，测试结束；否则先以待比较电流b的值针对待比较电流a进行更新，然后将该泄露电流作为待比较电流b，并进入步骤f。
15、作为本专利技术的一种优选技术方案：所述预设电流百分比的取值范围为50％-80％。
16、作为本专利技术的一种优选技术方案：所述预设电流接近范围的下限为0。
17、作为本专利技术的一种优选技术方案：步骤g中，预设电流百分比小于1。
18、作为本专利技术的一种优选技术方案：所述预设电流百分比的取值为50％。
19、作为本专利技术的一种优选技术方案：所述预设电流百分比的取值为65％。
20、作为本专利技术的一种优选技术方案：所述预设电流百分比的取值为80％。
21、本专利技术第二方面，提供了一种电子设备，包括处理器和存储器，所述处理器用于执行存储器中存储的计算机程序以实现如上述的动态侦测式局放耐压测试方法。
22、本专利技术第三方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有至少一个指令，所述至少一个指令被处理器执行时实现如上述的动态侦测式局放耐压测试方法。
23、与现有技术相比较，本专利技术的有益效果如下：
24、(1)本专利技术所设计动态侦测式局放耐压测试方法，采用全新设计方法策略，针对目标导体外部的绝缘层，实现非破坏性的局放与耐压检测，其中，先通过局放检测保证导体绝缘层的基本性能，然后基于预设泄露电流上限，采用反复侦测式方法，不断探测目标导体绝缘层所对应的最高耐压值，由此在非绝缘击穿的情况下，实现针对目标导体外部绝缘层的检测，获得了目标导体的重复检测，有效降低了目标导体检测工作的成本，提高了检测工作效率；
25、(2)本专利技术所设计动态侦测式局放耐压测试方法中，针对基于预测电流d与预设电流接近范围之间关系，所获目标导体绝缘层理论上的最高耐压值，进一步设计校验过程，以实际泄露电流的检测进行最终最高耐压值的检测，进一步提高了目标导体绝缘所对应最高耐压值检测的准确性，提高了所设计局放耐压测试方法实际应用的可靠性。
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1.一种动态侦测式局放耐压测试方法，针对目标导体外部的绝缘层实现局放与耐压检测，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述一种动态侦测式局放耐压测试方法，其特征在于，还包括步骤HI如下，所述步骤H中，若预测电流d与预设泄露电流上限之间差值属于预设电流接近范围，则进入步骤HI；
3.根据权利要求2所述一种动态侦测式局放耐压测试方法，其特征在于，所述预设电流百分比的取值范围为50％-80％。
4.根据权利要求1所述一种动态侦测式局放耐压测试方法，其特征在于，所述预设电流接近范围的下限为0。
5.根据权利要求1所述一种动态侦测式局放耐压测试方法，其特征在于，步骤G中，预设电流百分比小于1。
6.根据权利要求2所述一种动态侦测式局放耐压测试方法，其特征在于，所述预设电流百分比的取值为50％。
7.根据权利要求2所述一种动态侦测式局放耐压测试方法，其特征在于，所述预设电流百分比的取值为65％。
8.根据权利要求2所述一种动态侦测式局放耐压测试方法，其特征在于，所述预设电流百分比的取值为80％。>
9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述处理器用于执行存储器中存储的计算机程序以实现如权利要求1至8中任意一项所述的动态侦测式局放耐压测试方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有至少一个指令，所述至少一个指令被处理器执行时实现如权利要求1至8中任意一项所述的动态侦测式局放耐压测试方法。
...【技术特征摘要】
1.一种动态侦测式局放耐压测试方法，针对目标导体外部的绝缘层实现局放与耐压检测，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述一种动态侦测式局放耐压测试方法，其特征在于，还包括步骤hi如下，所述步骤h中，若预测电流d与预设泄露电流上限之间差值属于预设电流接近范围，则进入步骤hi；
3.根据权利要求2所述一种动态侦测式局放耐压测试方法，其特征在于，所述预设电流百分比的取值范围为50％-80％。
4.根据权利要求1所述一种动态侦测式局放耐压测试方法，其特征在于，所述预设电流接近范围的下限为0。
5.根据权利要求1所述一种动态侦测式局放耐压测试方法，其特征在于，步骤g中，预设电流百分比小于1。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪奇，张超，王唯，朱勇，王浩宇，李松，赵晴，王祎明，
申请(专利权)人：国网北京市电力公司，
类型：发明
国别省市：
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