提高有机硅聚合物裂解法制备碳化硅纳米材料纯度的方法技术

技术编号:4175546 阅读:316 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种提高有机硅聚合物裂解法制备碳化硅纳米材料纯度的方法,以模板法获得的聚硅烷纳米管为前驱体,然后将所述前驱体与聚氯乙烯或聚乙烯醇混合在一起,将得到的混合物置于管式炉中,通入氩气,以2℃/分的速率升温到1300-1600℃,恒温2小时,冷却,得到碳化硅和单质碳的混合物;将混合物在氧气或含氧气气氛下,以2℃/分的速率升温到850℃,恒温2小时,冷却,得到高纯度碳化硅纳米管。本发明专利技术操作简单,最大限度的保持了纳米结构的原始特性,所制备的碳化硅纳米材料纯度高,产物收率高,有良好的应用前景。

Method for improving purity of silicon carbide nano material by organosilicon polymer cracking process

The invention discloses a method for preparing silicon carbide nano materials to improve the purity of organosilicon polymer pyrolysis method, obtained by template method polysilane nanotubes as precursor, then the precursor was mixed with polyvinyl alcohol or polyvinyl chloride together, will be placed on the mixture obtained in the tubular furnace by argon gas, to 2 DEG C / min. the rate of heating to 1300 to 1600 DEG C, 2 hours, a constant temperature cooling, get the mixture of silicon carbide and elemental carbon; the mixture in oxygen or oxygen-containing atmosphere, to 2 degrees per minute rate of heating to 850 DEG C, 2 hours, temperature cooling, high purity silicon carbide nanotubes. The invention has the advantages of simple operation, maximum maintenance of the original characteristics of the nano structure, high purity of the prepared silicon carbide nano material, high yield of the product, and good application prospect.

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高有机硅聚合物裂解法制备碳化硅纳米材料纯度的方法,以模板法获得的聚硅烷或聚硅氧烷纳米管为前驱体,然后按照下列步骤操作:  A、将所述前驱体与聚氯乙烯或聚乙烯醇混合在一起,将得到的混合物置于管式炉中,通入氩气,以2℃/分的速率升温到1300-1600℃,恒温2小时,冷却,得到碳化硅和单质碳的混合物;  B、将上述碳化硅和单质碳的混合物在氧气或含氧气气氛下,以2℃/分的速率升温到850℃,恒温2小时,冷却,得到高纯度碳化硅纳米管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:万传云
申请(专利权)人:上海应用技术学院
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

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