一种低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波介电材料及其制备方法技术

技术编号:41750431 阅读:23 留言:0更新日期:2024-06-21 21:35
本发明专利技术公开了一种低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波介电材料,属于微波电子陶瓷材料及其制造领域,该材料的化学组成为:[Mg<subgt;0.4</subgt;Zn<subgt;0.4</subgt;(Ni<subgt;1/2</subgt;Co<subgt;1/2</subgt;)<subgt;0.8‑x</subgt;Li<subgt;0.4+x</subgt;]SiO<subgt;4</subgt;,其中,0≤x≤0.8,本发明专利技术还公开了上述材料的制备方法,包括称量、球磨、烘料、煅烧、二次球磨、烘料、造粒、成型、排胶及烧结等步骤;本发明专利技术提供的微波介质材料,具有低的介电常数(4.86~6.50)以及低烧结温度(925℃),在新一代移动通信及LTCC低温共烧领域具有较高的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波电子陶瓷材料领域,特别涉及一种具有低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波材料以及其制备方法。


技术介绍

1、随着新一代移动通信的快速发展,低温共烧陶瓷(ltcc)在移动设备、卫星、电信基站和运输系统等领域发挥着重要作用。同时高熵材料因具有特殊的性质而备受关注。这类材料通常是由多个组元以等比例或近等比例的方式相互固溶而形成具有不同于传统材料的结构特征和性能特点,有望在航空航天、新能源电子器件、核能应用等领域得到广泛的应用。

2、硅酸盐以其低εr和高q×f值而闻名,因为它们相对较高的共价键(rui peng,yuanxun li,et al.improved sintering andmicrowave dielectric properties ofli2casio4 ceramic with magnesium atom substitution.ceramics international 46(2020)8869–8876)。kui liu等(kui liu,huaiwu zhang,et al.crystal structur本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波介电材料,其特征在于,其化学组成为:[Mg0.4Zn0.4(Ni1/2Co1/2)0.8-xLi0.4+x]SiO4,其中,0≤x≤0.8。

2.权利要求1所述的低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波介电材料的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述的预烧处理的具体条件:预烧温度为900~1000℃,预烧处理升温速率为2~10℃/min,保温时间为2~6h;预烧处理降温速率为5℃/min,降温至500℃后随炉冷却至室温。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征...

【技术特征摘要】

1.一种低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波介电材料,其特征在于,其化学组成为:[mg0.4zn0.4(ni1/2co1/2)0.8-xli0.4+x]sio4,其中,0≤x≤0.8。

2.权利要求1所述的低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波介电材料的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述的预烧处理的具体条件:预烧温度为900~1000℃,预烧处理升温速率为2~10℃/min,保温时间为2~6h;预烧处理降温速率为5℃/min,降温至500℃后随炉冷却至室温。

4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:赖元明张林侨龚伟平刘枫向评文廖星月谢明军
申请(专利权)人:成都理工大学
类型:发明
国别省市:

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