【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第18/081,856号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年12月15日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种半导体结构及其制备方法。特别是有关于一种具有一或多个接合元件的半导体结构，及其制备方法。
技术介绍
1、半导体元件对于许多现代应用来说是必不可少的。随着电子技术的进步，半导体元件的尺寸越来越小，同时功能越来越强大，集成电路数量越来越多，处理速度也越来越快。因此，持续需要改善半导体元件的制造程序并解决上述复杂性。
2、上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种半导体结构。该半导体结构包括一基底，该基底具有一导电图案。该半导体结构亦可包括一芯片。该半导体结构还可包括一接合垫，将该基底连接到该芯片，其中该接合垫直接接触该基底的该导电图案。
2、本公开的另一实施...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接合垫包括一镀金属层。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该基底还包括一开口以及一导电迹线，该导电迹线延伸到该开口的一第一边缘，且该导电图案延伸到该开口的一第二边缘。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接合垫不含焊接材料。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接合垫的一深宽比小于大约1。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该芯片包括一导电垫，且该接合垫直接接触该芯片的该导电垫。
7.如权利要求6所述的半导体结构，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接合垫包括一镀金属层。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该基底还包括一开口以及一导电迹线，该导电迹线延伸到该开口的一第一边缘，且该导电图案延伸到该开口的一第二边缘。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接合垫不含焊接材料。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接合垫的一深宽比小于大约1。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该芯片包括一导电垫，且该接合垫直接接触该芯片的该导电垫。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该接合垫与该芯片的该导电垫包括一相同材料。
8.如权利要求6所述的半导体结构，其中该接合垫包括一镀铜层，且该芯片的该导电垫包括铜。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该基底还包括：
10.如权利要求9所述的半导体结构，其中在该接合垫与该导电图案之间的一接触界面嵌入该绝缘层中。
11.一种半导体结构，包括：
12.如权利要求11所述的半导体结构，其中该无焊料接合结构直接接触该基底的该导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨吴德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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