一种抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其制备方法及应用，该底部填充胶以总重量为100%计，包括：填充剂60~65%，环氧树脂16~23%，固化剂13~19%，促进剂0.2~0.4%，颜料0~0.3%；所述填充剂选择聚环氧丙烷接枝改性的二氧化硅；所述环氧树脂为端羧基丁腈液体橡胶改性的双酚型环氧树脂。本申请底部填充可抑制加热固化过程中的二氧化硅沉降现象。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体芯片底部填充胶，具体涉及一种抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其制备方法及应用。

技术介绍

1、底部填充胶主要包括环氧树脂和无机填料，用来对bga和csp封装模式的芯片进行底部填充，经加热固化后形成填充层，以填满芯片底部空隙。底部填充胶中大多采用二氧化硅作为无机填料，然而二氧化硅表面对水有强亲和力，当二氧化硅与湿空气接触时，表面上的硅原子就会和水“反应”，以保持与氧的四面体配位，满足表面硅原子的化合价，水分子不可逆地吸附在其表面，导致其难以在有机相中润湿和分散。此外，在点胶过程中，由于高温加热，使填充胶的粘度骤降，分子间摩擦力随之降低，由于二氧化硅所受重力大于其与环氧树脂间的作用力，而发生沉降现象，表现为上层二氧化硅密度低，下层二氧化硅密度高，严重影响材料的物性及稳定性。可参见图1，示出了加热固化前后二氧化硅颗粒1在树脂基体2中的分布情况示意，该图示出了加热固化过程中二氧化硅颗粒1的沉降现象。

技术实现思路

1、本申请的目的之一是提供一种抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，以总重量为100%计，所述填充本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其特征在于：

2.如权利要求1所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其特征在于：

3.如权利要求1所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其特征在于：

4.权利要求1-3中任一项所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其特征在于：

5.如权利要求4所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其特征在于：

6.权利要求1-3中任一项所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其特征在于：

7.权利要求6所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其特征在于：

8.权利要求1-3中任一项所述的抑制二氧化硅...

【技术特征摘要】

1.一种抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其特征在于：

2.如权利要求1所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其特征在于：

3.如权利要求1所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其特征在于：

4.权利要求1-3中任一项所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其特征在于：

5.如权利要求4所述的抑制二氧化硅沉降的底部填充胶，其特征在于：

6.权利要求1-3中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍得，王圣权，廖述杭，苏峻兴，
申请(专利权)人：武汉市三选科技有限公司，
类型：发明
国别省市：