一种二维GeSe纳米材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及气敏传感材料领域，公开了一种二维GeSe纳米材料的制备方法，包括以下步骤：S1、衬底清洗；S2、前驱体和衬底放置；S3、将管式炉的炉管抽真空，最后向管内充入高纯度的氩气至管内压力恢复至大气压，重复三次；S4、保持氩气吹扫的同时升温至500~620℃，然后保温反应，气化的前驱体在衬底表面成核生长，最后降温至室温，完成二维GeSe纳米材料的生长。本发明专利技术通过CVD法合成了α相二维GeSe纳米材料，GeSe片状呈现菱形生长在衬底上，致密均匀，用该材料制备气敏元件，灵敏度高，响应速度快，表现出良好的气敏特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于气敏传感材料领域，具体涉及一种二维gese纳米材料的制备方法。

技术介绍

1、气体传感器在工业监测，医疗，农作物种植，环境保护和空气质量监测等方面发挥着重要作用。检测气体分子，特别是有毒气体(nh3,so2和no2)，在环境污染监测和农业应用中至关重要。石油和煤炭在我们的日常生活中肆意燃烧，产生大量的有毒气体。随后有毒气体与空气中的水相互作用，形成了酸雨。此外，有毒气体成为空气中的主要污染物。一般常规气体传感材料为金属氧化物，这种材料灵敏度高、价格相对较低，但是存在稳定性和选择性差、工作温度高(200-500℃)和寿命短等问题。因此，需要采用高性能气体传感器对有毒气体进行监测。

2、近年来，二维(2d)材料因其优异的性能和广泛的应用潜力而引起了人们的广泛关注。因此，寻找具备高灵敏度、快速响应、安全无毒、价格低廉、节约能源等优点的气体传感材料就显得很有必要。厚度超薄的二维材料具有高比表面积和弱电子屏蔽性能，外来吸附物与二维纳米材料基底之间具有很强的相互作用，使得它们的性质极易受到物理或化学吸附的强烈影响，有助于气体分子的吸附，这为其本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二维GeSe纳米材料的制备方法，其特征在于，所述二维GeSe纳米材料以GeSe粉末为前驱体，以载玻片为衬底，通过CVD法制备，具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的二维GeSe纳米材料的制备方法，其特征在于，所述二维GeSe纳米材料为α相GeSe单晶，带隙为1.1~1.2 eV，光谱范围300~1500nm，载流子迁移率125.6~130.1cm2/V·s。

3.根据权利要求1所述的二维GeSe纳米材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中丙酮与四氯化碳以1：1的体积比混合。

4.根据权利要求1所述的二维GeSe纳米材料的制备方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种二维gese纳米材料的制备方法，其特征在于，所述二维gese纳米材料以gese粉末为前驱体，以载玻片为衬底，通过cvd法制备，具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的二维gese纳米材料的制备方法，其特征在于，所述二维gese纳米材料为α相gese单晶，带隙为1.1~1.2 ev，光谱范围300~1500nm，载流子迁移率125.6~130.1cm2/v·s。

3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘巧平，张志勇，
申请(专利权)人：西北大学，
类型：发明
国别省市：