一种单一原料合成纳米AlON粉体的方法技术

本发明专利技术公开一种单一原料合成AlON粉体的方法，以单一铝源通过水解合成含有Al源或AlN源和Al<subgt;x</subgt;O<subgt;y</subgt;H<subgt;z</subgt;源的复合前驱体物质，再结合铝热直接氮化法或固相反应法合成纯相AlON粉体。本发明专利技术的Al<subgt;x</subgt;O<subgt;y</subgt;H<subgt;z</subgt;源是基于原料粉体表面水解或热解得到且尺寸在纳米范围的具有包覆结构的复合前驱体物质，提高了原料的接触面积和混合均匀度，缩短反应物扩散路径，有效抑制中间产物的局部烧结和汇聚长大，合成粉体粒径约50nm，显著降低了粉体的合成温度，有效避免了两相或以上原料粉体比例不易控制且混合不均匀，导致合成的AlON粉体成分不均匀。本发明专利技术简化了合成工艺流程，降低了生产成本，提高了粉体合成质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于陶瓷粉体制备，具体涉及一种单一原料合成纳米alon粉体的方法。

技术介绍

1、立方尖晶石结构的alon陶瓷具有优异的光学和机械性能，是一种理想的结构-功能一体化多晶陶瓷材料，可以作为透明装甲、中红外窗口、整流罩等领域的候选材料。高光学质量alon透明陶瓷材料的制备取决于其粉体的合成工艺，纯度高、粒径小、分散性好、烧结活性高的粉体是优化alon陶瓷烧结工艺的先决条件。

2、alon粉体的合成目前最为成熟的是碳热还原氮化法(crn)、固相反应法(ssr)及直接氮化法(dn)。对于crn法，公开号为cn103242043b的专利申请，公开了一种氧氮化铝粉体的合成方法，以al2o3和碳粉为原料，采用球磨方式混料，流动氮气经过加湿装置后连续充入石墨气氛炉中，石墨炉以10℃/min升温至1850℃保温2h合成氮氧化铝粉体。公开号为cn109265177a的专利申请，公开了一种alon粉体的合成方法，采用高纯氧化铝磨球对氧化铝和氮化铝的混合粉料球磨过筛后，在流动氮气环境下进行高温煅烧，高温煅烧温度为1750℃，煅烧时间为10～30min，得到a本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种合成AlON粉体的方法，其特征在于，包括将单一铝源进行水解反应得到具有包覆结构的复合前驱体，然后经高温煅烧制备得到所述AlON粉体。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述水解反应在溶剂体系下进行。例如，所述单一铝源在溶剂中的体积固含量在0.1％vol-70％vol。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述单一铝源为单质Al粉或含Al化合物(例如AlN、27R(Al9O3N7)、21R(Al7O3N5)和12H(Al6O3N4)等中的至少一种)。

4.如权利要求1-3任一项所述的方法，所述制备方法还包括待水解反应结束后，对反应体...

【技术特征摘要】

1.一种合成alon粉体的方法，其特征在于，包括将单一铝源进行水解反应得到具有包覆结构的复合前驱体，然后经高温煅烧制备得到所述alon粉体。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述水解反应在溶剂体系下进行。例如，所述单一铝源在溶剂中的体积固含量在0.1％vol-70％vol。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述单一铝源为单质al粉或含al化合物(例如aln、27r(al9o3n7)、21r(al7o3n5)和12h(al6o3n4)等中的至少一种)。

4.如权利要求1-3任一项所述的方法，所述制备方法还包括待水解反应结束后，对反应体系进行固液分离得到反应产物的过程。

5.如权利要求1-4任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：周有福，杨健，许文涛，洪茂椿，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：