基于poly叠层优化的TOPCon电池制备方法技术

本发明专利技术公开了基于poly叠层优化的TOPCon电池制备方法，涉及电池制备领域，包括S1、制备第一隧穿氧化层；S2、在第一隧穿氧化层上制备第一非晶硅层；S3、在第一非晶硅层上制备第二隧穿氧化层；S4、在第二隧穿氧化层上制备第二非晶硅层；S5、在第二非晶硅层上制备第三非晶硅层；S6、在第三非晶硅层上制备Mask保护层；S7、高温退火并去除Mask保护层；S8、在第三非晶硅层上制备氮化硅减反层；S9、在氮化硅减反层上印刷银浆；通过本方法制作TOPCon电池，第二隧穿氧化层、第二非晶硅层和第三非晶硅层不需要进行任何去除动作，同时本方法采用全面隧穿及非晶硅方式，实现了与产线设备100%的兼容，无需新增任何设备，降低成本的同时还可以实现效率的提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电池制备领域，尤其涉及一种基于poly叠层优化的topcon电池制备方法。

技术介绍

1、随着太阳能电池技术的快速发展，隧穿氧化层钝化接触（tunnel oxidepassivated contact solar cell,topcon）电池技术凭其优异的钝化性能和技术兼容性等优势，获得了当前市场的青睐。topcon电池的特点在于表面采用了超薄氧化硅和掺杂多晶硅poly的结构。其中隧穿氧化层钝化接触结构能够使得多数载流子穿透氧化层，对少数载流子起阻挡作用，能有效地实现了载流子的选择性通过，从而极大地降低了少数载流子的复合速率，提高电池性能。非晶硅的采用不仅可以钝化si-sio2界面，同时因为隧穿结构使得银电极ag和掺杂非晶硅接触(退火后非晶硅会晶化)即可，而不需要和c-si接触，从而进一步减少接触电阻。正是因为这种独特的结构，使得隧穿氧化钝化电池topcon的开路电压uoc和填充因子ff较上一代发射极背面钝化电池prec有明显优势，从而效率有明显优势。

2、但上述结构中也存在着一定的问题制约了其效率的进一步提升。从接触角度考虑，非本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于poly叠层优化的TOPCon电池制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于poly叠层优化的TOPCon电池制备方法，其特征在于，在S1-S6中，炉管内的温度范围为400-450℃，功率范围为10000-15000W。

3.根据权利要求1所述的基于poly叠层优化的TOPCon电池制备方法，其特征在于，在S1中，一氧化二氮的流量体积范围为5000-2000sccm，氧化时间范围为80-120s，进行第一隧穿氧化层的氧化。

4.根据权利要求1所述的基于poly叠层优化的TOPCon电池制备方法，其特征在于，在S2中，硅烷的流量体...

【技术特征摘要】

1.基于poly叠层优化的topcon电池制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于poly叠层优化的topcon电池制备方法，其特征在于，在s1-s6中，炉管内的温度范围为400-450℃，功率范围为10000-15000w。

3.根据权利要求1所述的基于poly叠层优化的topcon电池制备方法，其特征在于，在s1中，一氧化二氮的流量体积范围为5000-2000sccm，氧化时间范围为80-120s，进行第一隧穿氧化层的氧化。

4.根据权利要求1所述的基于poly叠层优化的topcon电池制备方法，其特征在于，在s2中，硅烷的流量体积范围为2000-5000sccm，磷烷的流量体积范围为300-500sccm，氢气的流量体积范围为8000-12000sccm，沉积反应时间为100-300s；在s4中，硅烷的流量体积范围为2000-5000sccm，磷烷的流量体积范围为600-800sccm，氢气的流量体积范围为8000-12000sccm，沉积反应时间为100-300s；在s5中，硅烷的流量体积范围为2000-5000sccm，磷烷的流量体积范围为800-900sccm，氢气的流量体积范围为8000-12000sccm，沉积反应时间为250-450s。

5.根据权利要求1所述的基于poly叠层优化的...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁正国，谢耀辉，何佳龙，黄菊梅，
申请(专利权)人：和光同程光伏科技宜宾有限公司，
类型：发明
国别省市：