【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光加工,尤其涉及一种自动对焦系统及其实现方法。
技术介绍
1、第三代半导体材料碳化硅(sic)因其禁带宽度大、热稳定性强、热导率高、抗辐射能力强等优点,以耐高温、高压、高频著称,在功率半导体领域有着广泛的应用前景而成为半导体材料的技术研究前沿和产业竞争焦点。因sic优越的性能,sic的需求逐渐增加。
2、sic晶体生长极为缓慢,目前并无能显著改善生长效率的方法,所以提高其材料利用率是非常有意义的。目前能有效提高利用率的手段是用激光切片技术代替传统线切割。激光切片技术的原理是将激光聚焦在sic晶锭内部的特定深度上,在计划分离的面上进行加工,破坏其晶体结构,形成缺陷层,再通过外力将待分离晶片从晶锭本体上剥离,然后通过研磨去除缺陷层,完成sic晶体切片。但对于使用激光隐形切割对sic晶体进行切割的过程中仍会受到一系列问题的干扰。目前有一大技术难点是激光加工的深度不稳定。加工工过程中的样品膨胀,导致加工深度改变,这是由于改质层材料物化性质改变以及密度发生了变化。此外,晶圆表面翘曲、激光能量密度调控问题将导致激光焦点无
...【技术保护点】
1.一种自动对焦系统,其特征在于,包括激光焦点测量模块、数据处理模块和控制模块,所述激光焦点测量模块包括压电物镜定位器(2)、物镜(3)、位置敏感传感器(4)和第二激光器(5);
2.根据权利要求1所述自动对焦系统,其特征在于,所述数据处理模块包括电源模块、信号I/V转换放大模块、A/D转换模块、单片机、D/A转换模块以及输出模块,其中电源模块为整个数据处理模块供电,信号I/V转换放大模块连接A/D转换模块,A/D转换模块连接至单片机,单片机的输出连接D/A转换模块的输入,最终模拟信号连接输出模块进行放大输出。
3.根据权利要求1所述自动对焦系
...【技术特征摘要】
1.一种自动对焦系统,其特征在于,包括激光焦点测量模块、数据处理模块和控制模块,所述激光焦点测量模块包括压电物镜定位器(2)、物镜(3)、位置敏感传感器(4)和第二激光器(5);
2.根据权利要求1所述自动对焦系统,其特征在于,所述数据处理模块包括电源模块、信号i/v转换放大模块、a/d转换模块、单片机、d/a转换模块以及输出模块,其中电源模块为整个数据处理模块供电,信号i/v转换放大模块连接a/d转换模块,a/d转换模块连接至单片机,单片机的输出连接d/a转换模块的输入,最终模拟信号连接输出模块进行放大输出。
3.根据权利要求1所述自动对焦系统,其特征在于,所述控制模块包括控制器(12)和压电物镜定位器(2),其中控制器(12)能定向定距离的控制压电物镜定位...
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