碳化硅芯片的封装方法及封装结构技术

本发明专利技术提供一种碳化硅芯片的封装方法及封装结构。碳化硅芯片的封装方法包括：提供第一基板及碳化硅芯片，第一基板材料选自于硅和金刚石中的至少一种，且具有图案化电极层，电极层材料为铜、铝等，碳化硅芯片具有第一、第二表面，且分别具有第一、第二电极；将碳化硅芯片的第一表面键合至第一基板，第一电极与图案化电极层连接；提供第二基板，材料选自于硅和金刚石中的至少一种，第二基板内包括容置部及第一、第二导电插塞；将第二基板键合至第一基板及碳化硅芯片的第二表面，使碳化硅芯片置于容置部内，第一导电插塞与图案化电极层连接，第二导电插塞与第二电极连接。上述技术方案使芯片两表面电极通过第一、第二导电插塞完成重布线，工艺简单，热阻低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片封装领域，尤其涉及一种碳化硅芯片的封装方法及封装结构。

技术介绍

1、硅(si)基扇出型晶圆级封装(fan out-wafer level package，简称fo-wlp)封装可以实现更好的散热以及更多数量的数据输入/输入(i/o)连接。导电插塞(tsv)、金属化、倒装等已经在集成电路(ic)封装上应用。但是由于碳化硅(sic)晶体管(mosfet)一般是垂直器件，且传统的扇出型封装所采用的环氧树脂等模塑料不利于散热，使碳化硅晶体管的扇出型晶圆级封装面临很多挑战。碳化硅器件面临高温高压高功率密度的需求，需要新型封装形式。

2、因此，提供一种工艺简单、热阻低的碳化硅封装方案，是目前需要解决的问题。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种工艺简单、热阻低的碳化硅封装方案，提供一种碳化硅芯片的封装方法及封装结构。

2、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种碳化硅芯片的封装方法，包括如下步骤：提供第一基板及一碳化硅芯片，所述第一基板的材料选自于硅和金刚石中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅芯片的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将所述碳化硅芯片的第一表面键合至所述第一基板表面的步骤中，在室温下通过表面活化键合将所述碳化硅芯片的第一表面键合至所述第一基板表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述第二基板键合至所述第一基板表面及所述碳化硅芯片的第二表面的步骤中，在室温下通过混合键合将所述第二基板键合至所述第一基板表面及所述碳化硅芯片的第二表面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二基板为阶梯状，所述碳化硅芯片具有第一侧表面，所述第二基板包覆所述碳...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅芯片的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将所述碳化硅芯片的第一表面键合至所述第一基板表面的步骤中，在室温下通过表面活化键合将所述碳化硅芯片的第一表面键合至所述第一基板表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述第二基板键合至所述第一基板表面及所述碳化硅芯片的第二表面的步骤中，在室温下通过混合键合将所述第二基板键合至所述第一基板表面及所述碳化硅芯片的第二表面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二基板为阶梯状，所述碳化硅芯片具有第一侧表面，所述第二基板包覆所述碳化硅芯片的第二表面及第一侧表面。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述第二基板键合至所述第一基板表面及所述碳化硅芯片的第二表面的步骤中，还包括通过退火和...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘盼，曹佳颖，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：