【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、近年来，gan(氮化镓)基led(发光二极管)作为常见的照明工具，成为日常生活必不可少的一部分。目前常应用的白光led一般是由蓝光led激发黄色荧光粉获得的，光电转换效率高，但是显色指数、发光效率和色温之间存在很大矛盾，色温低、显色指数高时，发光效率下降；同时荧光粉会随着时间推移逐渐老化，影响白光led性能，且污染严重。
2、而且随着芯片尺寸的减小，外延层的侧壁损伤的影响增大，led的发光效率急剧降低，且随着芯片尺寸的减小，电子和空穴被侧壁缺陷引入的陷阱捕获，导致相同电流密度下发光强度降低，受到应变弛豫的影响，使发光波长红移。
3、因此，有必要设计一种高品质无荧光粉的白光led，不仅不存在污染环境的问题，也不会因为荧光粉的老化而造成很大的光衰。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种发光二极管及其制备方法，以实现蓝光和黄光混合形成白光发光二极管，减少荧光粉老化带来的效率下降的影响，且环...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述蓝光外延层包括第一外延层，且所述第一外延层从下至上依次包括蓝光第一半导体层、蓝光有源层和蓝光第二半导体层；所述黄光外延层从下至上依次包括所述第一外延层和第二外延层，且所述第二外延层从下至上依次包括黄光第一半导体层、黄光有源层和黄光第二半导体层。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：隧穿结构，所述隧穿结构位于所述第一通孔中的第一外延层上以及所述第二通孔中的第一外延层和第二外延层之间，且所述隧穿结构从下至上依次包括隧穿结p型层和
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述蓝光外延层包括第一外延层，且所述第一外延层从下至上依次包括蓝光第一半导体层、蓝光有源层和蓝光第二半导体层；所述黄光外延层从下至上依次包括所述第一外延层和第二外延层，且所述第二外延层从下至上依次包括黄光第一半导体层、黄光有源层和黄光第二半导体层。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：隧穿结构，所述隧穿结构位于所述第一通孔中的第一外延层上以及所述第二通孔中的第一外延层和第二外延层之间，且所述隧穿结构从下至上依次包括隧穿结p型层和隧穿结n型层。
4.如权利要求2或者3所述的发光二极管，其特征在于，所述蓝光发光单元还包括：
5.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述黄光发光单元还包括：
6.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一外延层和第二外延层的材料均为氮极性材料。
7.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一外延层和第二外延层的材料均为gan基材料。
8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一负电极位于所述衬底的背面上或者所述衬底的正面上，所述衬底的正面与背面相反，所述衬底的背面为所述衬底远离所述绝缘介质层的表面；在所述第一负电极位于所述衬底的正面上时，所述通孔组还包括第三通孔，所述第三通孔与所述第一通孔和第二通孔间隔设置，且所述第一负电极位于所述第三通孔中。
9.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，在所述第一负电极位于所述第三通孔中时，所述发光二极管还包括：
10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔、第二通孔以及第三通孔为通孔阵列。
11.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一通孔、第二通孔以及第三通孔中的一个通孔为中心通孔，其余两个通孔为依次同心地设置于所述中心通孔外侧的环形通孔。
12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述蓝光正电极、所述黄光正电极以及所述第一负电极的顶部齐平。
13.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底为可导电衬底。
14.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
15.如权利要求14所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述第一通孔中...
【专利技术属性】
技术研发人员：董雪振，毕京锋，李森林，
申请(专利权)人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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