全铝钝化背接触太阳电池及其制备方法技术

一种全铝钝化背接触太阳电池及其制备方法，包括：晶硅衬底、依次设置于其一侧的隧穿氧化层、本征多晶硅层、掺磷多晶硅层、掺硼多晶硅层、背面钝化层以及设置于晶硅衬底另一侧的正面钝化层和正面减反射层，其中：掺磷多晶硅层上分别设有层叠的两个铝负电极和两个铝正电极。本发明专利技术优化了背接触电池的背面电极结构，并结合钝化接触，不仅可以降低接触电阻、增强背面载流子传输，也能够提升衬底选择自由度，免除工业用银的消耗，大幅降低了电池的量产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种太阳电池领域的技术，具体是一种全铝钝化背接触太阳电池及其制备方法。

技术介绍

1、现有量产电池大多需使用银电极，银电极由光伏银浆烧结而成。在ibc电池，即叉指背接触太阳电池以及主流的topcon、hjt电池中，光伏银浆的成本占总成本的10～25％，是太阳电池的核心辅料之一。随着太阳能光伏发电技术应用普及、硅片及多晶硅等核心材料的降价、地球银资源的短缺，银电极的使用将成为限制太阳电池降本的关键因素。因此，需要采用适宜的导电电极替代价格高昂的银电极，降低电池规模化量产成本。

技术实现思路

1、本专利技术针对现有技术掺杂区域未进行晶硅层/多晶硅层/非晶硅层的定义导致效率损失较高，提出一种全铝钝化背接触太阳电池及其制备方法，优化了背接触电池的背面电极结构，并结合钝化接触，不仅可以降低接触电阻、增强背面载流子传输，也能够提升衬底选择自由度，免除工业用银的消耗，大幅降低了电池的量产成本。

2、本专利技术是通过以下技术方案实现的：

3、本专利技术涉及一种全铝钝化背接触太阳电池结本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种全铝钝化背接触太阳电池结构，其特征在于，包括：晶硅衬底、依次设置于其一侧的隧穿氧化层、本征多晶硅层、掺磷多晶硅层、掺硼多晶硅层、背面钝化层以及设置于晶硅衬底另一侧的正面钝化层和正面减反射层，其中：掺磷多晶硅层上分别设有层叠的两个铝负电极和两个铝正电极。

2.一种权利要求1所述全铝钝化背接触太阳电池结构的制备方法，其特征在于，包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征是，所述的晶硅衬底前表面为制绒面，绒面采用纳米级及亚微米级小金字塔结构，金字塔尺寸小于1μm，步骤一中采用槽式机台的NaOH或KOH碱溶液对硅片背表面进行抛光处理，使其反射率达到40％，浓...

【技术特征摘要】

1.一种全铝钝化背接触太阳电池结构，其特征在于，包括：晶硅衬底、依次设置于其一侧的隧穿氧化层、本征多晶硅层、掺磷多晶硅层、掺硼多晶硅层、背面钝化层以及设置于晶硅衬底另一侧的正面钝化层和正面减反射层，其中：掺磷多晶硅层上分别设有层叠的两个铝负电极和两个铝正电极。

2.一种权利要求1所述全铝钝化背接触太阳电池结构的制备方法，其特征在于，包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征是，所述的晶硅衬底前表面为制绒面，绒面采用纳米级及亚微米级小金字塔结构，金字塔尺寸小于1μm，步骤一中采用槽式机台的naoh或koh碱溶液对硅片背表面进行抛光处理，使其反射率达到40％，浓度为5％-15％，温度为80-90℃，抛光处理时间为20-40min。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征是，所述的隧穿氧化层为氧化硅层，在炉管氧化生长形成，厚度为1-2nm。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征是，所述的磷硅玻璃或硼硅玻璃，采用高温离子注入硼或磷，再进行退火，由于金属杂质溶解度分布差异，俘获区金属杂质富集，从而去除硅片体内和表面金属杂质，其中磷注入温度为800-1100℃，退火温度为600-800℃；硼注入温度为900-1200℃，退火温度为500-700℃。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征是，所述的背面交错掺杂，得到掺磷多晶硅层、本征多晶硅层、掺硼多晶硅层，厚度为100-150nm，其中掺磷多晶硅层和掺硼多晶硅层指状交叉排列，中间由本征多晶硅层...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文忠，黄环佩，李正平，丁东，杜大学，马胜，贺礼，李琳，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：