【技术实现步骤摘要】
本公开涉及输入缓冲器，更具体地说，涉及磁滞输入缓冲器和包含输入缓冲器的接收器的实施例。
技术介绍
1、输入缓冲器可以包括相对较小的横向扩散金属氧化物半导体(ldmos)场效应晶体管(fet)，以减少面积消耗。然而，折衷的是，这种ldmos fet可以具有相对低的最大电压限制(例如，相对低的最大栅极-源极电压(vgsmax)限制)，使得它们不适用于采用磁滞的高压输入缓冲器。
技术实现思路
1、本文公开了一种结构的实施例，该结构具体地为具有磁滞集成式电压保护器件的输入缓冲器，该磁滞集成式电压保护器件用于在最大输入电压大于最大栅极-源极电压限制时避免违反最大栅极-源极电压限制。一般而言，所述输入缓冲器可以包括串联连接的第一晶体管的链。该链还包括两个中间节点和输出节点。所述输入缓冲器还可以包括磁滞反馈回路。所述磁滞反馈回路可以包括：两个第二晶体管，其分别连接到所述两个中间节点；以及两个电压保护器件，其分别连接到所述两个第二晶体管的栅极，并且连接到所述输出节点。
2、在一些实施例中，所述...
【技术保护点】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，
3.根据权利要求2所述的结构，还包括：
4.根据权利要求3所述的结构，
5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述链连接在正电压轨和地之间，以及其中，所述正电压轨处于正电源电压电平。
6.根据权利要求5所述的结构，
7.根据权利要求6所述的结构，
8.根据权利要求1所述的结构，还包括串联连接在所述链和地之间的尾部器件和连接在所述输出节点和所述正电压轨之间的上拉器件中的任一者。
9.一种结构，包括：
10.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，
3.根据权利要求2所述的结构，还包括：
4.根据权利要求3所述的结构，
5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述链连接在正电压轨和地之间，以及其中，所述正电压轨处于正电源电压电平。
6.根据权利要求5所述的结构，
7.根据权利要求6所述的结构，
8.根据权利要求1所述的结构，还包括串联连接在所述链和地之间的尾部器件和连接在所述输出节点和所述正电压轨之间的上拉器件中的任一者。
9.一种结构，包括：
10.根据权利要求9所述的结构，还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·T·特兰，D·A·潘特，S·S·哈迈德，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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