【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，具体为一种混合偏置电流的超低静态功耗ldo电路及其工作方法。
技术介绍
1、低压差线性稳压器(low dropout regulator，ldo)由于其低功耗、低纹波、结构简单的特征，被广泛应用于各种集成电路电源管理系统，在某些超低功耗应用场景中，如电子雷管控制芯片中，对于ldo的静态功耗提出了更高的要求，为了满足低功耗，ldo的设计倾向于更低的静态电流，但是低静态电流往往带来更低的带宽和转换速率，也就会降低ldo的瞬态响应能力。
2、则为了折衷功耗与速度，将自适应电流偏置技术或者动态电流偏置技术引入ldo中：自适应电流偏置技术会根据负载电流的大小来调整ldo的静态电流，因此其可以在轻载时保持低功耗，而在重载时得到更大的带宽和转换速率，但是其在从重载到轻载的切换过程中，其静态电流有下降的趋势，以及在轻载到重载的切换过程中，静态电流的增大存在一定的延时，这对于功率管栅极处的快速充放电仍是不利的；动态电流偏置技术是只在负载跳变时，动态的增大ldo的静态电流，而在负载稳定时维持低静态电流，这就可以在负载发生...
【技术保护点】
1.一种混合偏置电流的超低静态功耗LDO电路，其包括：功率输出级，用于提供负载电流；
2.根据权利要求1所述的一种混合偏置电流的超低静态功耗LDO电路，其特征在于，所述电路还包括：
3.根据权利要求1所述的一种混合偏置电流的超低静态功耗LDO电路，其特征在于，所述自适应电流产生模块包括晶体管M17、M19、M20、M21、M22、M23；所述功率输出级包括晶体管M18；所述晶体管M17、M18的漏极均连接电源电压VIN，所述晶体管M17、M18的栅极端相连后接于所述晶体管M6、M8的漏极端相连的接点上，所述晶体管M23的漏极与所述晶体管M15的
...【技术特征摘要】
1.一种混合偏置电流的超低静态功耗ldo电路，其包括：功率输出级，用于提供负载电流；
2.根据权利要求1所述的一种混合偏置电流的超低静态功耗ldo电路，其特征在于，所述电路还包括：
3.根据权利要求1所述的一种混合偏置电流的超低静态功耗ldo电路，其特征在于，所述自适应电流产生模块包括晶体管m17、m19、m20、m21、m22、m23；所述功率输出级包括晶体管m18；所述晶体管m17、m18的漏极均连接电源电压vin，所述晶体管m17、m18的栅极端相连后接于所述晶体管m6、m8的漏极端相连的接点上，所述晶体管m23的漏极与所述晶体管m15的漏极相连接。
4.根据权利要求1所述的一种混合偏置电流的超低静态功耗ldo电路，其特征在于，在所述误差放大级与所述功率输出级之间连接有补偿电容cpar。
5.根据权利要求1所述的一种混合偏置电流的超低静态功耗ldo电路，其特征在于，所述动态电流产生模块包括晶体管m24、m25、m26、m27、m28、m29、m30、m31、m32...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，李彦铭，陶永斌，赵成功，毛占岩，
申请(专利权)人：盛泽芯集成电路无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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