【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电器件制备，具体涉及一种基于紫外激光加工掩膜制备多色探测器的方法。
技术介绍
1、光电探测器是光电器件之一，是一种能够将入射的光转换成电信号的器件，其在通信、网络、工业和军事等领域中扮演着重要角色。单色探测器是基于单一带隙材料的光电探测器件，多色探测器是需要在单个芯片上集成不同带隙材料的光电器件。由阵列式纳米材料组成的多色探测器不仅可以提高器件的有效探测范围，还可以对不同波长的光进行选择性探测。金属电极的制备是光电器件制作的必备流程之一。大部分半导体材料的金属电极制备可通过传统的光刻工艺来实现，而部分半导体材料如：钙钛矿等，因材料易溶于有机溶剂的特性，无法在材料上进行光刻工艺。对此，常见的钙钛矿光电器件的金属电极制备方法有两种：第一种方法是首先通过光刻、蒸镀和剥离工艺在衬底上制备金属电极，然后将钙钛矿材料放置在电极上，这种方法易实现微纳器件的制备，但是电极与半导体材料之间的接触差，材料在轻微振动下容易移动；第二种方法是首先将钙钛矿材料放置在衬底上，然后通过掩膜遮罩的方法蒸镀金属电极，金属电极覆压半导体材料于衬底上，这种方...
【技术保护点】
1.一种基于紫外激光加工掩膜制备多色探测器的方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.如权利要求1所述的基于紫外激光加工掩膜制备多色探测器的方法，其特征在于，
3.如权利要求2所述的基于紫外激光加工掩膜制备多色探测器的方法，其特征在于，
4.如权利要求3所述的基于紫外激光加工掩膜制备多色探测器的方法，其特征在于，
5.如权利要求4所述的基于紫外激光加工掩膜制备多色探测器的方法，其特征在于，
6.如权利要求5所述的基于紫外激光加工掩膜制备多色探测器的方法，其特征在于，
7.如权利要求6所述的基于紫外激光...
【技术特征摘要】
1.一种基于紫外激光加工掩膜制备多色探测器的方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.如权利要求1所述的基于紫外激光加工掩膜制备多色探测器的方法，其特征在于，
3.如权利要求2所述的基于紫外激光加工掩膜制备多色探测器的方法，其特征在于，
4.如权利要求3所述的基于紫外激光加工掩膜制备多色探测器的方法，其特征在于，
...【专利技术属性】
技术研发人员：刘林生，黄兰清，陆杭林，刘兴鹏，宋树祥，苏检德，宋卓，姚欣良，李卓峰，
申请(专利权)人：广西师范大学，
类型：发明
国别省市：
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