雪崩光电二极管校准方法、装置、设备及可读存储介质制造方法及图纸

本申请公开了一种雪崩光电二极管校准方法、装置、电子设备及可读存储介质，包括：将待校准APD放置于无光温控箱中，并按预设的温度调控顺序使待校准APD依次处于不同温度的环境；分别对处于每个温度下的待校准APD，均进行施加逐渐增大的反向偏压，并利用测温电阻和暗电流检测电路记录得到各温度条件下的实际反向偏压和实际暗电流；以实际反向偏压为横坐标、以实际暗电流值通过有源积分电路的电压积分值为纵坐标进行描点，并绘制得到目标曲线图；将目标曲线图中代表每个温度的曲线的纵轴拐点对应的横轴数值，确定为相应温度下的实际击穿电压；基于反向偏压与击穿电压间的比例和各温度下的实际击穿电压，计算得到相应的实际反向偏压，以完成对反向偏压的校准。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及请求处理领域，特别涉及一种雪崩光电二极管校准方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

1、雪崩光电二极管(avalanche photon diode，apd)灵敏度高且具有内部增益，其利用光生载流子在强电场内的定向作用产生雪崩效应，以获得光电流的增益，实现对弱信号的光电转换及放大。apd管的电流增益通常用倍增因子m来表示，定义为发生倍增效应时的光电流与不发生倍增效应时的光电流之比。apd可应用于光电领域，包括分布式温度测量、激光测距等。

2、apd的电流增益通常用倍增因子m来表示：其中，v为apd所加偏压，vb为apd的击穿电压，n为与apd有关的系数，取决于半导体材料，掺杂分布及辐射波长等。apd的倍增因子是其应用时最重要的参数，击穿电压的大小和施加反向偏置电压的大小都会影响倍增因子的大小。由上式可以看出，在vb为定值时，v越大，倍增因子越大，但是在实际应用中最佳的工作电压不能超过vb，否则会发生击穿；同样v的值也不宜太小，太小会无雪崩倍增效应。通常选取apd的反向偏置电压的值略小于击穿电压vb。击穿电压vb与器件的工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种雪崩光电二极管校准方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述无光温控箱按预设的温度调控顺序使所述待校准APD依次处于不同温度的环境，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分别对处于每个温度且处于无光条件下的待校准APD，均进行施加逐渐增大的反向偏压至产生击穿电流，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于反向偏压与击穿电压之间应保持的预设比例和各温度下的实际击穿电压，计算得到所述待校准APD在不同温度下的实际反向偏压，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种雪崩光电二极管校准方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述无光温控箱按预设的温度调控顺序使所述待校准apd依次处于不同温度的环境，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分别对处于每个温度且处于无光条件下的待校准apd，均进行施加逐渐增大的反向偏压至产生击穿电流，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于反向偏压与击穿电压之间应保持的预设比例和各温度下的实际击穿电压，计算得到所述待校准apd在不同温度下的实际反向偏压，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于各温度下的实际反向偏压完成对所述待校准apd反向偏压的校准，包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：王建华，魏帅，韩国俭，梁栋，李怀新，冯尚，
申请(专利权)人：青岛鼎信通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：