【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频，尤其涉及一种功率放大器和射频前端模组。
技术介绍
1、在射频技术中，为了使得射频前端模组中的功率放大器不失真地将射频信号放大，通常需要在功率放大电路的输入端设置偏置电路。在相关技术中，功率放大器往往存在带宽性能较差的问题，从而降低了射频前端模组的射频信号的输出质量。
技术实现思路
1、本申请提供了一种功率放大器和射频前端模组，解决了相关技术中功率放大器的带宽性能较差的问题。
2、第一方面，本申请提供了一种功率放大器，具有第一信号输入端、第二信号输入端、第一信号输出端和第二信号输出端，所述功率放大器包括：放大电路，所述放大电路包括第一放大单元与第二放大单元，所述第一放大单元路连接在所述第一信号输入端与所述第一信号输出端之间，所述第二放大单元连接在所述第二信号输入端与所述第二信号输出端之间；偏置电路，所述偏置电路包括第一偏置单元、第二偏置单元、第一电阻、第二电阻、第一稳压单元和第二稳压单元，所述第一偏置单元的输出端与所述第一放大单元的输入端连接，所述第二偏置单元的输...
【技术保护点】
1.一种功率放大器，其特征在于，具有第一信号输入端、第二信号输入端、第一信号输出端和第二信号输出端，所述功率放大器包括：
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述放大电路为差分放大电路，所述第一放大单元传输的第一射频信号与所述第二放大单元传输的第二射频信号之间的相位差为180°。
3.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一放大单元的工作频段在[0Ghz，10Ghz]范围内，所述第二放大单元的工作频段在[0Ghz，10Ghz]范围内；所述第一电阻和所述第二电阻的电阻值范围为[0Ω，50Ω]。
4.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种功率放大器，其特征在于，具有第一信号输入端、第二信号输入端、第一信号输出端和第二信号输出端，所述功率放大器包括：
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述放大电路为差分放大电路，所述第一放大单元传输的第一射频信号与所述第二放大单元传输的第二射频信号之间的相位差为180°。
3.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一放大单元的工作频段在[0ghz，10ghz]范围内，所述第二放大单元的工作频段在[0ghz，10ghz]范围内；所述第一电阻和所述第二电阻的电阻值范围为[0ω，50ω]。
4.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一电阻的阻值与所述第一放大单元的工作频段为负线性相关，所述第二电阻的阻值与所述第二放大单元的工作频段为负线性相关。
5.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述偏置电路还包括第三电阻，所述第三电阻的第一端和所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第二端之间的公共端连接，所述第三电阻的第二端和所述偏置电源端连接，所述第三电阻被配置为对所述第一偏置单元与所述第二偏置单元进行分压和/或限流。
6.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一偏置单元包括第一偏置晶体管，所述第二偏置单元包括第二偏置晶体管；
7.根据权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述第一偏置晶体管为金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一偏置晶体管的第一端为栅极，所述第一偏置晶体管的第二端为漏极或源极，所述第一偏置晶体管的第三端为源极或漏极；所述第二偏置晶体管的第一端为栅极，所述第二偏置晶体管的第二端为漏极或源极，所述第二偏置晶体管的第三端为源极或漏极；
8.根据权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述第一偏置单元还包括第四电阻，所述第二偏置单元还包括第五电阻，所述第四电阻的第一端与所述第一偏置晶体管的第二端连接，所述第四电阻的第二端与所述第一放大单元的输入端连接，所述第五电阻的第一端与所述第二偏置晶体管的第二端连接，所述第五电阻的第二端与所述第二放大单元的输入端连接。
9.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一放大单元包括第一放大晶体管，所述第二放大单元包括第二放大晶体管；
10.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹原，刘子林，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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