一种三维集成电子光学系统技术方案

本发明专利技术公开了一种三维集成电子光学系统，涉及电子直线加速器技术领域，包括：电子枪、均匀场聚焦结构、极靴；至少一把所述电子枪发射电子注；所述均匀场聚集结构产生与所述电子注中电子运动方向平行的均匀磁场；所述极靴减小所述均匀磁场的横向磁场值。本发明专利技术公开的一种三维集成电子光学系统通过均匀场聚焦结构对集成模块内所有电子注进行有效的约束聚焦并使其长距离稳定传输；通过楔形的极靴开孔结构进一步减小聚焦系统过渡区域的横向磁场值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子直线加速器，更具体的说是涉及一种三维集成电子光学系统。

技术介绍

1、目前，片束行波管(sbtwt)已经出现在w波段和太赫兹应用中。在w波段和太赫兹波段，适用于sbtwt或后向波振荡器的平面慢波结构(如叶片加载波导、平面螺旋波导和波纹波导)比圆形相互作用结构更容易制造。薄片波束可以比圆波束携带更大的波束电流。上述片状束流的优点使得片状束流真空电子器件能够产生高功率微波和太赫兹辐射。然而，由于e×b/b2速度漂移，聚焦片束是关键问题，其中e为空间电荷场，b为外加轴向磁场。booske等人的研究表明了e×b/b2速度的影响利用周期性磁聚焦可以消除漂移。为了提供稳定的二维聚焦，已经研究了各种磁性结构,然而，对于sbtwt而言，叶片加载周期慢波结构的实际空腔高度近似为有效隧道高度，仅能选择高磁场。同样对于高磁场，横向场分量是关键因素之一。

2、因此，如何降低横向场分量的值是本领域技术人员亟需解决的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种三维集成电子光学系统，通过均匀场聚焦本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三维集成电子光学系统，其特征在于，包括：电子枪、均匀场聚焦结构、极靴(2)；至少一把所述电子枪发射电子注；所述均匀场聚集结构产生与所述电子注中电子运动方向平行的均匀磁场；所述极靴减小所述均匀磁场的横向磁场值。

2.根据权利要求1所述的一种三维集成电子光学系统，其特征在于，所述电子枪发射电子注进行叠加，得到电子注阵列。

3.根据权利要求2所述的一种三维集成电子光学系统，其特征在于，所述电子枪电压U＝22kV,电流I＝0.15A。

4.根据权利要求2所述的一种三维集成电子光学系统，其特征在于，所述电子注半径为0.08mm。>

5.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种三维集成电子光学系统，其特征在于，包括：电子枪、均匀场聚焦结构、极靴(2)；至少一把所述电子枪发射电子注；所述均匀场聚集结构产生与所述电子注中电子运动方向平行的均匀磁场；所述极靴减小所述均匀磁场的横向磁场值。

2.根据权利要求1所述的一种三维集成电子光学系统，其特征在于，所述电子枪发射电子注进行叠加，得到电子注阵列。

3.根据权利要求2所述的一种三维集成电子光学系统，其特征在于，所述电子枪电压u＝22kv,电流i＝0.15a。

4.根据权利要求2所述的一种三维集成电子光学系统，其特征在于，所述电子注半径为0.08mm。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮存军，王鹏鹏，王文博，赵亚琦，赵可东，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：