用于制造用于锂二次电池的电解铜箔的方法技术

技术编号:41720688 阅读:24 留言:0更新日期:2024-06-19 12:46
本发明专利技术涉及一种电解铜箔及其制造方法。铜箔具有高于52kgf/mm2的原产拉伸强度,在35℃下保存120天后具有高于50kgf/mm2的拉伸强度,并在热应力下具有再结晶性能。铜箔采用如下电解质制成,该电解质包含:浓度至少为60g/L的铜;浓度至少为60g/L的硫酸;浓度低于2mg/L的卤素离子;浓度在0.001mg/L至0.1mg/L之间的硫脲族电解添加剂;并且电解质中的TOC低于10mg/L。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及电解铜箔领域,具体涉及一种用于制造用在锂二次电池中的电解铜箔的方法以及所得电解铜箔。


技术介绍

1、锂二次电池相对于其他二次电池具有许多优点,例如能量密度相对较高、工作电压较高、保存特性和寿命特性优异。因此,这种锂二次电池被广泛应用于各种便携式电子设备,例如个人计算机、摄像机、便携式电话、便携式cd播放器、pda和电动汽车。

2、电解铜箔通常用作锂二次电池的负极集电器(阳极)。众所周知,传统的电解铜箔通常两面都是光滑的,以限制“毛面”与“光面”之间的粗糙度差异,其影响容量保持率。

3、用在锂二次电池中的电解铜箔是在传统电解电池中制造的,其中旋转的阴极鼓位于不可溶解的阳极前面。典型的电解槽包含铜硫酸电解质,其通常包括以下添加剂:3-巯基-1-丙磺酸钠盐(mps)或双(3-磺丙基)二硫醚二钠盐(sps)、含氮有机整平剂、以及选自高分子量多糖的有机聚合物。

4、采用这种制造工艺,所得到的电解铜箔在两侧的粗糙度一般低于2.5μm(rz iso),拉伸强度约320mpa,伸长率约8-10%。>

5、由本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于生产电解铜箔的方法,所述电解铜箔在包括旋转的鼓形阴极、固定阳极和电解质的电铸槽中连续形成,其中所述电解质包含:

2.根据权利要求1所述的方法,其中卤素离子在电解质中的浓度低于1mg/L,优选不高于0.95、0.9、0.85或0.8mg/L,更优选不高于0.6mg/L。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中卤素离子是氯离子和/或溴离子。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述硫脲族电解添加剂在电解质中的浓度为0.09mg/L或更低,优选不超过0.085、0.080、0.075或0.070,更优选为0.050mg/L或更低。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于生产电解铜箔的方法,所述电解铜箔在包括旋转的鼓形阴极、固定阳极和电解质的电铸槽中连续形成,其中所述电解质包含:

2.根据权利要求1所述的方法,其中卤素离子在电解质中的浓度低于1mg/l,优选不高于0.95、0.9、0.85或0.8mg/l,更优选不高于0.6mg/l。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中卤素离子是氯离子和/或溴离子。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述硫脲族电解添加剂在电解质中的浓度为0.09mg/l或更低,优选不超过0.085、0.080、0.075或0.070,更优选为0.050mg/l或更低。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述硫脲族电解添加剂选自n-甲基-2-噻唑烷硫酮、1-(2-羟乙基)-2-咪唑烷硫酮、四甲基硫脲、n,n′-二乙基硫脲、n,n′-二甲基硫脲、n-烯丙基硫脲、硫脲氨基脲、2-亚氨基-4-硫代缩二脲、2-咪唑烷硫酮、乙酰硫脲、1,3-二丁基-2-硫脲及其混合物。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中电解质中的toc低于2.5mg/l。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中铜以硫酸铜的形式添加到电解质中。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中电解质中铜或硫酸的浓度为60至100g/l之间。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中通过在阴极和阳极之间施加电流密度来形成电解铜箔,电流密度介于40至80a/dm2之间,优选介于40至60a/dm2,更优选45至55a/dm2。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中电解质温度保持在35℃至50℃之间。

11.一种电解铜箔,特别是根据权利要求1至10中任一项所述的方法生产或使用根据权利要求20至24中任一项所述的电解质生产,其中电解铜箔的原产拉伸强度高于52kgf/mm2,35℃下120天后拉伸强度高于50kgf/mm2,并且在热应力下具有再结晶特性。

12.根据权利要求11所述的电解铜箔,其中电解铜箔的原产拉伸强度在52至65kgf/mm2的范围内。

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【专利技术属性】
技术研发人员:G·杰克明P·罗泽因M·施特雷尔
申请(专利权)人:铜箔卢森堡公司
类型:发明
国别省市:

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