The present invention provides a novel wafer fixing structure, make up the deficiency of current lead frame or wafer holder, so that different light emitting chip emitting angle is the same as in the fixed conductive light, the light-emitting chip light evenly mixed in the light, it includes a wafer carrier and luminous wafer, the wafer carrier is arranged on the plane. The plane in the crystal region, a solid crystal wafer area which is equipped with a concave solid crystal region, the light-emitting chip which is fixed on a solid crystal region corresponding in novel wafer fixing structure of the invention, the crystal plane in the wafer seat is arranged in solid solid crystal plane in the depression area solid crystal region and amorphous region respectively to sag solid stamping or etch and the light-emitting chip fixed with different thickness, the light emitting chip between the light emitting angle is highly consistent, so as to improve the luminous chip, the light The light mixing effect is even, and the purpose of the invention is realized.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种固定结构，特别涉及一种用于在导线架或晶片载座上固定 发光晶片的新型晶片固定结构。
技术介绍
目前，固定发光晶片都是通过使用传统的导线架或晶片载座来实现的，而 且传统的导线架或晶片载座的底部为一个整体平面的平面固晶区域，但是由于 发光晶片的厚度均不相同，当发光晶片固定在传统的导线架或晶片载座的平面 固晶区域中并导电发光时，使各个发光晶片之间的发光角度不尽相同，造成由 于各个发光晶片之间的发光角度差异过大而引起发光晶片之间发光后的混光 不均匀。以传统的3 4元材质发光晶片和GAN材质发光晶片为例(参见图1)， 由于传统的3 4元材质发光晶片的厚度远大于GAN材质发光晶片的厚度，在 其固定在晶片载座或导线架上并导电发光时，3 4元材质发光晶片的发光角度 就明显大于GAN材质发光晶片的发光角度，造成在3 4元材质发光晶片和 GAN材质发光晶片在发光时的混光不均匀。明显的，现有用于固定发光晶片的导线架或晶片载座，在固定不同厚度的 发光晶片时，由于发光晶片的厚度不同，致使通电发光后的发光角度也不同， 造成发光时各个发光晶片的混光不均匀，无法满足现有使用的需...
【技术保护点】
一种新型晶片固定结构，它包括晶片载座和发光晶片，所述晶片载座上设有平面固晶区域，其特征在于，在所述晶片载座的平面固晶区域中设有一凹陷固晶区域，所述的发光晶片固定在相应的固晶区域中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李诚模，
申请(专利权)人：东泰升电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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