阵列基板和显示面板制造技术

本申请公开了一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括基底、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，第一薄膜晶体管设于基底上，并位于非显示区，第一薄膜晶体管包括第一半导体层；第二薄膜晶体管设于基底上，并位于非显示区，第二薄膜晶体管包括第二半导体层；第三薄膜晶体管，设于基底上，并位于显示区；第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管电连接，第一薄膜晶体管在基底上的正投影与第二薄膜晶体管在基底上的正投影至少部分重叠，第二半导体层的沟道部与基底所在平面的夹角和第一半导体层的沟道部与基底所在平面的夹角不同。本申请可以解决LTPS和IGZO组合形成的CMOS电路中电流不匹配的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示，具体涉及一种阵列基板和显示面板。

技术介绍

1、随着ar，vr，mr技术的发展，高分辨率、高光效显示面板的市场需求与日俱增。氧化物半导体薄膜晶体管(oxide semiconductor thin film transistor，os tft)在amlcd、amoled显示面板中受到了广泛的应用。

2、为了制造超高分辨率的氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板，需要减小和优化薄膜晶体管尺寸、走线宽度、金属间距和通孔尺寸。ltpo(low temperature polysiliconoxide，低温多晶硅氧化物)技术结合了ltps(low temperature poly silicon，低温多晶硅)的高迁移率和氧化物半导体(例如，igzo(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物))的低漏电流的优势，能够大大减小薄膜晶体管尺寸，在vr应用中具有极大的潜力。

3、ltps具有相对较大的迁移率和相对较高的开态电流，而igzo具有相对较小的迁移率和相对较低的开态电流。在应用了传统ltpo技术的阵列基板中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种阵列基板，具有显示区和位于所述显示区外围的非显示区，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管位于所述第一薄膜晶体管远离所述基底的一侧。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括：

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二半导体层包括：

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二子部环绕所...

【技术特征摘要】

1.一种阵列基板，具有显示区和位于所述显示区外围的非显示区，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管位于所述第一薄膜晶体管远离所述基底的一侧。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括：

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二半导体层包括：

6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：李壮，艾飞，张春鹏，熊文慧，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：