含有丙烯酰胺基的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

一种EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有聚合物和溶剂，上述聚合物包含下述式(1)所示的重复单元。(在式(1)中，R1表示碳原子数1～20的1价有机基。R2表示氢原子或碳原子数1～6的烷基。)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜、半导体加工用基板、半导体元件的制造方法、图案形成方法、和抗蚀剂图案的lwr的改善方法。

技术介绍

1、在lsi(半导体集成电路)等半导体装置中，随着集成度的提高，要求形成微细图案，近年来的最小图案尺寸达到100nm以下。

2、这样的半导体装置中的微细图案的形成通过曝光装置中的光源的短波长化、和抗蚀剂材料的改良而实现。现在，进行了以作为深紫外线的波长193nm的arf(氟化氩)受激准分子激光作为光源，经由水进行曝光的浸液曝光法，关于抗蚀剂材料，也开发了以丙烯酸系树脂作为基础的各种arf对应抗蚀剂材料。

3、进一步，作为新一代的曝光技术，进行了采用电子射线(eb：electron beam)的eb曝光法、或以波长13.5nm的软x射线作为光源的euv(超紫外线)曝光法的研究，图案尺寸为30nm以下，微细化更加推进。

4、然而，随着这样的图案尺寸的微细化，抗蚀剂图案侧壁的间隙(ler；line edgeroughness，边缘粗糙度)和抗本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有聚合物和溶剂，所述聚合物包含下述式(1)所示的重复单元，

2.根据权利要求1所述的EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)中的R1表示下述式(1X)，

3.根据权利要求2所述的EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述式(1X)中，R11表示亚甲基或1,2-亚乙基。

4.根据权利要求2所述的EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述式(1X)中，R12表示氢原子或总碳原子数2～6的烷氧基烷基。

5.根据权利要求1所述的EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有聚合物和溶剂，所述聚合物包含下述式(1)所示的重复单元，

2.根据权利要求1所述的eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)中的r1表示下述式(1x)，

3.根据权利要求2所述的eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述式(1x)中，r11表示亚甲基或1,2-亚乙基。

4.根据权利要求2所述的eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述式(1x)中，r12表示氢原子或总碳原子数2～6的烷氧基烷基。

5.根据权利要求1所述的eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物进一步包含下述式(2)所示的重复单元，

6.根据权利要求5所述的eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(2)中的x表示-coo-，r3表示直链状或支链状的碳原子数1～20的烷基、具有可以具有杂原子的环状结构的总碳原子数2～20的1价基、或下述式(2x)，

7.根据权利要求6所述的eb或euv光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述直链状或支链状的碳原子数1～20的烷基为直链状或支链状的碳原子数1～6的烷基，

8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：绪方裕斗，加藤祐希，田村护，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：