一种半导体生产工艺尾气处理设备制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体生产工艺尾气处理设备，包括燃烧单元、冷却单元和第一风机，燃烧单元包括内腔和套设在内腔外的外腔，所述外腔外设有加热组件用于加热通入外腔的第一气体，所述外腔连通有供第一气体通入的第一进气口，所述内腔连通有供第二气体通入的第二进气口，所述第一气体流经加热组件后进入内腔并第二气体燃烧反应；冷却单元，包括冷却腔，所述冷却腔与内腔下端口连通，采用风冷和/或水冷的方式对内腔下端口排出的气体进行冷却；第一风机，所述第一风机的进风口与冷却腔连通，用于在处理设备内形成负压环境。本实用结构合理、安全可靠且体积小巧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体生产，具体为一种半导体生产工艺尾气处理设备。

技术介绍

1、半导体生产工艺通常包括多个甚至上百个工艺步骤，如光刻工艺、蚀刻工艺、成膜工艺、清洗工艺等，常常会采用易燃气体如高纯氢或可燃有机气体作为工艺气体或反应产物，无论作为工艺气体或反应产物，高纯氢(纯度99.999％)或可燃有机气体直接排放极易污染空气，甚至发生爆炸燃烧等安全事故，因而亟需一种安全可靠且使用灵活的尾气处理设备。

技术实现思路

1、本专利技术公开了一种半导体生产工艺尾气处理设备，它解决了现有技术中尾气处理设备复杂且稳定性差的技术问题，具有结构合理、尾气处理效果好、安全可靠且体积小巧的技术效果。所采用的技术方案如下：

2、一种半导体生产工艺尾气处理设备，包括：

3、燃烧单元，包括内腔和套设在内腔外的外腔，所述外腔外设有加热组件用于加热通入外腔的第一气体，所述外腔连通有供第一气体通入的第一进气口，所述内腔连通有供第二气体通入的第二进气口，所述第一气体流经加热组件后进入内腔并第二气体燃烧反应；

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【技术保护点】

1.一种半导体生产工艺尾气处理设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体生产工艺尾气处理设备，其特征在于，还包括送气单元(3)，所述内腔(11)向下延伸形成送气单元(3)的送气内腔(31)，所述外腔(12)向下延伸形成送气单元(3)的送气外腔(32)，所述送气外腔(32)外还套设有送气缓冲腔(33)，所述第一进气口设于形成送气缓冲腔(33)的外壁上，所述送气缓冲腔(33)通过周向设置的若干第二通孔与送气外腔(32)连通，所述送气外腔(32)通过周向布置的若干第一通孔与外腔(12)连通。

3.根据权利要求2所述的半导体生产工艺尾气处理设备，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体生产工艺尾气处理设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体生产工艺尾气处理设备，其特征在于，还包括送气单元(3)，所述内腔(11)向下延伸形成送气单元(3)的送气内腔(31)，所述外腔(12)向下延伸形成送气单元(3)的送气外腔(32)，所述送气外腔(32)外还套设有送气缓冲腔(33)，所述第一进气口设于形成送气缓冲腔(33)的外壁上，所述送气缓冲腔(33)通过周向设置的若干第二通孔与送气外腔(32)连通，所述送气外腔(32)通过周向布置的若干第一通孔与外腔(12)连通。

3.根据权利要求2所述的半导体生产工艺尾气处理设备，其特征在于，所述第二进气口靠近内腔(11)上端设置，且所述第二进气口处设有孔板(19)，以使第二气体均匀地进入内腔(11)中，所述第一进气口靠近内腔(11)下端设置，所述外腔(12)上部通过若干短管(18)与内腔(11)连通，若干所述短管(18)周向布置且自外而内具有向下倾斜的角度。

4.根据权利要求1所述的半导体生产工艺尾气处理设备，其特征在于，所述加热组件(2)包括环绕外腔(12)布置的若干加热棒(21)，所述加热棒(21)外套设有螺旋形加热丝(22)，所述加热组件(2)外套设有阻燃层(13)，所述阻燃层(13)外套设有隔热层(14)。

5.根据权利要求4所述的半导体生产工艺尾气处理设备，其特征在于，所述隔热层(14)外套设有壳体(16)，所述壳体(16)上设有若干散热孔，且所述壳体(16)与隔热层(14)间形成防爆腔(17)，所述壳体(16)包括可拆卸连接的多个子壳体，多个所述子壳体共同围合形成防爆腔(17)。

6.根据权利要求5所述的半导体生产工艺尾气处理设备，其特征在于，还包括若干顶针，所述顶针包括螺杆和螺母，所述螺杆穿经防爆腔(17)与隔热层(14)抵接，所述螺母套设在螺杆伸出至壳体(16)外的部分，以定位隔热层(14)和阻燃层(13)。

7.根据权利要求1～6中任一所述的半导体生产工艺尾气处理设备，其特征在于，所述外腔(12)内还设有耐高温的隔膜片(8)，当所述内腔(11)呈负压状态...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔汉博，崔汉宽，
申请(专利权)人：上海高笙集成电路设备有限公司，
类型：发明
国别省市：