The invention belongs to the field of nano imprinting technology, in particular to a manufacturing method of silicon nanowire based on soft template nano imprinting technology. The steps include depositing and baking two layers of colloids on the original template and removing them as soft embossing templates. A layer of photoresist is applied on the surface of the silicon substrate and is pre baked, and the soft template is used to imprint, and then the residual layer of the imprinted colloid on the silicon surface is removed by RIE etching. By using the colloid on the substrate silicon surface as etching barrier, the anisotropic etching of silicon is carried out. Finally, the required silicon nanowire pattern with cross section is ladder or triangle. The method of the invention is simple, requires only one impression, has no damage to the expensive original template, has little surface defects and traps, and the linewidth of the nanowire can be adjusted.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米压印
，具体涉及一种利用纳米压印技术制作硅纳米线的方法。
技术介绍
随着微电子技术的发展，半导体纳米线在探测器、太阳能电池、新型晶体管等 方面得到了广泛的研究。其中，在探测器方面，由于半导体纳米线的表面积/体积比很 高，而且其内部载流子密度有限(其表面的电荷可以有效的使其增强或耗尽)，因此半导 体纳米线在化学和生物分子探测的应用方面有非常大的潜力。 早先的半导体纳米线大多是采用"bo加mup"方式制作的，但是其存在纳米线 排列放置和电极制作方面的问题，更重要的是其制作工艺与传统CMOS工艺不兼容，因 而应用潜力受到极大限制。 目前在探测器领域的半导体纳米线多采用"top down"方式制作，其采用的技 术与传统CMOS相兼容。现今，大部分这方面的研究中采用的制作工艺，都是在利用各 种光刻手段定义好图形之后，使用RIE来形成半导体纳米线图形。 以上的制作方法面临两个问题 一、高灵敏度纳米线探测器一般需要很小的线 宽，也就是需要很高的图形复制精度，这就需要采用高分辨率、高产出、低成本的光刻 手段。二、 RIE方法将会在很大程度上增加纳米线表...
【技术保护点】
一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线制作方法，其特征在于具体步骤如下： （１）在原始模板上涂抗粘剂和淀积二层胶体，并烘烤； （２）将原始模板上的已经硬化的胶体揭下，作为纳米压印的软模板； （３）在ＳＯＩ衬底上旋涂一层压印光刻胶；（４）使用步骤（２）得到的软模板对ＳＯＩ衬底上的光刻胶进行压印，然后烘烤； （５）使用ＲＩＥ对衬底上的光刻胶进行刻蚀，去除其压印剩余层； （６）对硅作湿法各向异性刻蚀，使得ＳＯＩ衬底上层的硅上形成横截面为梯形的硅纳米线； （７）将硅纳米线上剩余的光刻胶去除；最终得到梯形横截面的硅纳米线； 或者，步骤（１）～（５）和前面相同； （６）使...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高晨，屈新萍，邓少任，万景，刘冉，陈宜方，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[]
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