【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件、显示面板和显示装置。
技术介绍
1、现有的bce结构半导体器件受到工艺的影响，在刻蚀源极、漏极时无法完全避免刻蚀液体或刻蚀气体对半导体沟道的影响，沟道特性往往容易恶化，尤其是器件沟道较短时，在较大vds的情况下漏端引入的势垒降低(dibl，drain inducedbarrier lowering)效应非常严重，导致阈值电压vth发生较大漂移，使半导体器件电性恶化甚至失效。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体器件、显示面板和显示装置，通过在半导体层的第一电极区和第二电极区之间设置较大载流子浓度的第一浓度区，以提高沟道导电性，在通过增加沟道长度解决阈值电压漂移问题时，弥补沟道加长时对电流的负面影响。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体器件，包括衬底和半导体层；在所述衬底的厚度方向上，所述半导体层位于所述衬底的一侧；
3、所述半导体层包括第一电极区、第二电极区和第一浓度区，所述半导体层中所述第一浓度区的载流子浓度大于所述第一浓度区之外的区域的载流子浓度；
4、在第一方向上，所述第一浓度区位于所述第一电极区和所述第二电极区之间；所述第一方向为所述半导体层中载流子在所述第一电极区和所述第二电极区之间迁移的方向。
5、第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括如本专利技术第一方面任一项所述的半导体器件。
6、第三方面，本专利技术实施例还提供了一种显示
7、本专利技术实施例提供的一种半导体器件、显示面板和显示装置，半导体器件包括衬底和半导体层；在衬底的厚度方向上，半导体层位于衬底的一侧；半导体层包括第一电极区、第二电极区和第一浓度区，半导体层中第一浓度区的载流子浓度大于第一浓度区之外的区域的载流子浓度；在第一方向上，第一浓度区位于第一电极区和第二电极区之间；第一方向为半导体层中载流子在第一电极区和第二电极区之间迁移的方向；上述技术方案，通过在半导体层的第一电极区和第二电极区之间设置第一浓度区，且第一浓度区的载流子浓度大于第一浓度区之外的区域的载流子浓度，解决了半导体器件为了避免较大的vds会产生dibl效应导致vth发生较大漂移，而增加第一电极区和第二电极区之间的沟道长度，长度增加带来的电阻增大从而导致电流降低的问题，通过设置掺杂区以提高第一电极区和第二电极区之间的半导体层的导电性，可弥补沟道加长时对电流的负面影响，使得器件可设置长沟道，避免短沟道带来的vth漂移的问题的同时稳定电流，避免长沟道导致电流下降的问题。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底和半导体层；在所述衬底的厚度方向上，所述半导体层位于所述衬底的一侧；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括第一导电层；在所述衬底的厚度方向上，所述第一导电层和所述半导体层位于所述衬底的同一侧；
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括第二导电层和第一绝缘层；在所述衬底的厚度方向上，所述第二导电层和所述半导体层位于所述衬底的同一侧，所述第一绝缘层位于所述第二导电层和所述半导体层之间；
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，还包括第二浓度区；
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二浓度区的所述半导体层在所述衬底所在平面的正投影与所述第三电极在所述衬底所在平面的正投影不交叠。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一浓度区的所述半导体层的载流子浓度n1和所述第二浓度区的所述半导体层的载流子浓度n2满足：n1≤n2。
7.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极区和所述第二电极区之间的区
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一浓度区的长度a满足：a≥1.5μm。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一浓度区经离子掺杂形成，所述第一浓度区的离子掺杂浓度n1满足：n1≥1×1014/cm-3。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一浓度区经离子掺杂形成，所述第一浓度区的离子掺杂浓度n1与所述半导体层中除所述第一浓度区之外的区域的离子掺杂浓度n0满足：n1/n0≥102。
11.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第二绝缘层；
12.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-11任一项所述的半导体器件。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的显示面板。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底和半导体层；在所述衬底的厚度方向上，所述半导体层位于所述衬底的一侧；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括第一导电层；在所述衬底的厚度方向上，所述第一导电层和所述半导体层位于所述衬底的同一侧；
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括第二导电层和第一绝缘层；在所述衬底的厚度方向上，所述第二导电层和所述半导体层位于所述衬底的同一侧，所述第一绝缘层位于所述第二导电层和所述半导体层之间；
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，还包括第二浓度区；
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二浓度区的所述半导体层在所述衬底所在平面的正投影与所述第三电极在所述衬底所在平面的正投影不交叠。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一浓度区的所述半导体层的载流子浓度n1和所述第二浓度区的所述半导体层的载流子浓度n2满足：n1≤n2。
7....
【专利技术属性】
技术研发人员：岑思谨，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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