一种允许电源及输出反接的电源架构和电源制造技术

本发明专利技术公开了一种允许电源及输出反接的电源架构和电源，所述电源架构包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、电流源、第一NMOS管、第二NMOS管、功率管、电阻以及寄生二极管；第一三极管的发射极与输出电源VOUT连接，第一三极管的基级和第一三极管的集电极连接之后分别与第二三极管的基级、第二三极管的集电极连接；第二三极管的发射极与输入电源VIN连接，集电极与电流源的输入端连接，集电极的输出端接地设置；第三三极管的发射极与输入电源VIN连接，基级与第二三极管的基级连接，集电极与第一NMOS管的漏极连接；第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的栅极连接，栅极与第二NMOS管的栅极连接。本发明专利技术至少解决现有电路产品中的功率管不能防止电源或输出反偏的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电源电路，具体涉及一种允许电源及输出反接的电源架构和电源。

技术介绍

1、现有的电源产品通常采用nmos管或pmos管作为功率管，由于功率管包含到电源的正向寄生二极管，因此该架构不能防止电源或输出反偏情况。现有技术中虽然可以改变功率管的衬偏(即寄生二极管方向)来防止输出反偏，但是仍然不能有效防止电源和地之间的反偏。

2、基于此，需要一种新技术方案。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种允许电源及输出反接的电源架构和电源，以至少解决现有电路产品中的功率管不能防止电源或输出反偏的问题。

2、本专利技术实施例提供以下技术方案：

3、本专利技术实施例提供一种允许电源及输出反接的电源架构，包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、电流源、第一nmos管、第二nmos管、功率管、电阻以及寄生二极管；

4、其中，第一三极管的发射极与输出电源vout连接，所述第一三极管的基级和所述第一三极管的集电极连接之后分别与所述第二三极管的基级、所述第二三极管的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种允许电源及输出反接的电源架构，其特征在于，包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、电流源、第一NMOS管、第二NMOS管、功率管、电阻以及寄生二极管；

2.根据权利要求1所述的电源架构，其特征在于，所述寄生二极管的阳极与所述功率管的漏极连接，所述寄生二极管的阴极与所述功率管的源极连接。

3.根据权利要求1所述的电源架构，其特征在于，所述第一三极管、所述第二三极管、所述第三三极管均为PNP三极管。

4.根据权利要求3所述的电源架构，其特征在于，所述PNP三极管的集电极和衬底之间被配置有n型埋层，所述n型埋层用于隔离所述PNP三极管的集电极和衬底。...

【技术特征摘要】

1.一种允许电源及输出反接的电源架构，其特征在于，包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、电流源、第一nmos管、第二nmos管、功率管、电阻以及寄生二极管；

2.根据权利要求1所述的电源架构，其特征在于，所述寄生二极管的阳极与所述功率管的漏极连接，所述寄生二极管的阴极与所述功率管的源极连接。

3.根据权利要求1所述的电源架构，其特征在于，所述第一三极管、所述第二三极管、所述第三三极管均为pnp三极管。

4.根据权利要求3所述的电源架构...

【专利技术属性】
技术研发人员：万明亮，陈东坡，
申请(专利权)人：上海川土微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：