一种太阳能电池及光伏组件制造技术

技术编号:41698092 阅读:21 留言:0更新日期:2024-06-19 12:32
本申请涉及一种太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。太阳能电池包括基底层、宽带隙金属氧化物、第一电极、多晶硅层和第二电极。基底层具有相对设置的第一面和第二面,第一面具有第一区域和第二区域,宽带隙金属氧化物设置于第一区域,第一电极设置于宽带隙金属氧化物。多晶硅层设置于第二面,多晶硅层具有第一掺杂区域和第二掺杂区域,第一掺杂区域的元素掺杂浓度大于第二掺杂区域的元素掺杂浓度,第二电极与第一掺杂区域相连接。本申请通过设置第一掺杂区域采用的高浓度元素掺杂,增加电子或空穴的隧穿概率,提升太阳能电池的开路电压和效率,通过设置第二掺杂区域采用低浓度元素掺杂,降低寄生吸收,进一步提高钝化效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池,尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件


技术介绍

1、目前隧穿氧化物钝化接触(topcon)电池,背面采用整面抛光结构,正面采用polyfinger钝化接触结构,这种结构虽然降低了正面的金属复合,但是增加了正面的寄生吸收。而且由于背面是抛光面,且掺杂浓度较高,使得背面的寄生吸收也较高,影响电池短路电流和转换效率。


技术实现思路

1、本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件,旨在降低寄生光损失,提升太阳能电池的光电转换效率。

2、本申请提供了一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:

3、基底层,所述基底层具有相对设置的第一面和第二面,所述第一面具有第一区域和第二区域;

4、宽带隙金属氧化物,所述宽带隙金属氧化物设置于所述第一区域;

5、第一电极,所述第一电极设置于所述宽带隙金属氧化物;

6、隧穿层,所述隧穿层设置于所述第二面;

7、多晶硅层,所述多晶硅层设置于所述隧穿层远离所述第二面的一侧,所述多晶硅层具有同面设置的第一掺杂区域和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池(1)包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述太阳能电池(1)的厚度方向(Z),所述第一掺杂区域(141)在所述第二面(112)的投影能够覆盖所述第二电极(15)在所述第二面(112)的投影。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区域(141)的宽度为a1,所述第二电极(15)的宽度为a2,a1与a2满足:3≤a1/a2≤4。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区域(141)的元素掺杂浓度为n1,1×1019atom/cm3≤n1≤1×...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池(1)包括:

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,沿所述太阳能电池(1)的厚度方向(z),所述第一掺杂区域(141)在所述第二面(112)的投影能够覆盖所述第二电极(15)在所述第二面(112)的投影。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区域(141)的宽度为a1,所述第二电极(15)的宽度为a2,a1与a2满足:3≤a1/a2≤4。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区域(141)的元素掺杂浓度为n1,1×1019atom/cm3≤n1≤1×1021atom/cm3;

5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂区域(141)的掺...

【专利技术属性】
技术研发人员:王利朋毛杰王钊杨洁郑霈霆张昕宇
申请(专利权)人:晶科能源上饶有限公司
类型:发明
国别省市:

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