异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池技术

技术编号:41697138 阅读:16 留言:0更新日期:2024-06-19 12:31
本申请公开了一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池,属于太阳能电池制备领域。异质结太阳能电池的制备方法,包括:提供硅衬底,并对硅衬底的受光面和背光面进行制绒处理;在受光面上形成掩膜层;去除背光面上的掩膜绕镀;对背光面进行精细化处理,使背光面形成为具有微结构的表面;去除掩膜层;在受光面和背光面上分别形成第一本征钝化层和第二本征钝化层;在第一本征钝化层和第二本征钝化层上分别形成第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层,其中,第二导电类型掺杂层包括多层层叠设置的第二子掺杂层,各层第二子掺杂层的折射率不同。本申请能提高背面的均匀性和平整度,还能降低背面反射率,提高电池的双面率并提高背面效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于太阳能电池制备,具体涉及一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池


技术介绍

1、异质结太阳能电池作为一种高效的新型太阳能电池,成为近年来光伏领域的新热点,其具有结构简单、制程简洁、较高的转换效率、高开路电压、低的温度系数等优点。现有的异质结太阳能电池单面制绒方式通常采用双面常规制绒硅片,然后在正面沉积一层保护层,再利用碱溶液将硅片背面未镀保护层表面的金字塔腐蚀抛光形成平面,然后再去除正面的保护层,获得正面为金字塔绒面,背面为抛光平面的单面制绒硅片。然而,在硅片的正面沉积形成保护层时,不可避免的会发生绕镀现象,绕镀的保护层会覆盖背面的绒面导致背光抛光时不能被处理到,最终使背面局部存在绒面,进而使硅片背面的形貌不均匀。硅片的背面形貌的不均匀会导致局部钝化不足或者过量,严重影响异质结电池的开路电压和串联电阻,还会影响后续本征钝化层和掺杂层的膜质和均匀性,即影响了本征钝化层和掺杂层的效果的稳定性。

2、另外,虽然通过改善硅片背面形貌的均匀性可以保证本征钝化层和掺杂层的效果的稳定性,但是也会提高背面的反射率,光学利用率偏低,短路电流偏本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述掩膜层满足如下特征中的至少一者:

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述去绕镀溶液包括由碱、双氧水和水组成的混合溶液;

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述去除所述硅衬底的背光面上的掩膜绕镀的温度为40℃~80℃,时间为150s~300s。

5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述对所述硅衬底的背光面进行精细化处理,具体包...

【技术特征摘要】

1.一种异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述掩膜层满足如下特征中的至少一者:

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述去绕镀溶液包括由碱、双氧水和水组成的混合溶液;

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述去除所述硅衬底的背光面上的掩膜绕镀的温度为40℃~80℃,时间为150s~300s。

5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述对所述硅衬底的背光面进行精细化处理,具体包括:

【专利技术属性】
技术研发人员:贺晨冉彭振维费钦吴洪凡陈春平郁操
申请(专利权)人:苏州迈为科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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