双面离子源制造技术

公开了一种离子源，包括：板状的源体，所述源体在两个侧面都具有放射性；并且所述源体形成为允许正负离子穿越源体。本发明专利技术的离子源结构能够增强样品分子的电离效率，形成的样品离子集中分布在源体两侧的扁平空间内，这种离子云分布有利于提高ＩＭＳ的灵敏度。另外，由于源体本身具有一定的透过率，在源体两侧产生的正负离子可以穿过源体，被分离到源体的两侧，因此能够有效地提高离子的利用效率。

Double sided ion source

An ion source is disclosed that includes a plate-like source body having radioactivity at two sides; and the source body being allowed to pass through the source by means of positive and negative ions. The ion source structure of the invention can enhance the ionization efficiency of the sample molecule, and the formed sample ions are concentrated in the flat space at the two sides of the source body, and the distribution of the ion cloud is favorable for improving the sensitivity of the IMS. In addition, because the source body has a certain transmissivity, the positive and negative ions produced on both sides of the source can pass through the source and are separated from both sides of the source, so that the utilization efficiency of the ion can be effectively improved.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种通过双极性离子迁移技术对物质进行分析及鉴 别时所使用的离子源，属于安全检测

技术介绍
双极性离子迁移率谱仪(双极性IMS)能够同时探测具有正、负 离子亲和力的分子，因此能够同时对多种物质进行检测，如毒品、爆 炸物。这使得双极性IMS的应用范围很广。但现有的离子源主要是针对于单极性IMS设计的。这些离子源 应用于双极性IMS中时，表现出很明显的缺点，如样品分子电离效 率低、离子有效利用率低，及离子源结构不合理等。目前一些专用于双极性IMS中的电离源也存在不足。如在专利 US7259369 B2中，样品分子在系统外部的电离室中离化后，由载流 气体携带进入到双极性IMS中心的四极离子阱中，之后存储于离子 阱中的离子分别进入两端的正、负离子漂移管中进行测量。此专利中离子源的优点是不受电离方式及源体形状的限制，可为 现有的电离源中的任何一种，如放射性同位素、电晕、激光等；其缺 点是在样品离子从离子源向离子阱迁徙的过程中，大量的离子损失 掉，大大降低了离子的有效利用率。同时分立的电离室增加了 IMS 的体积及生产成本。另外，为提高电离效率，普通的用于IMS的放射性离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子源，包括：　板状的源体，所述源体在两个侧面都具有放射性，并且所述源体形成为允许正负离子穿越源体。

【技术特征摘要】
1、一种离子源，包括板状的源体，所述源体在两个侧面都具有放射性，并且所述源体形成为允许正负离子穿越源体。2、 如权利要求1所述的离子源，其中，源体由放射性同位素材 料构成。3、 如权利要求1所述的离...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志强，李元景，彭华，张清军，林津，毛绍基，代主得，曹士娉，张仲夏，张阳天，林德旭，王清华，王少锋，李徽，
申请(专利权)人：同方威视技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]