【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于金属提纯,尤其涉及一种基于合金化区域熔炼-真空蒸馏联合制备高纯锗的方法。
技术介绍
1、锗是典型稀散金属元素。锗在空气中比较稳定,具有优异的物化性能,作为半导体元素,具有较高的电子-空穴迁移率。锗的应用领域与其纯度息息相关。在光纤通讯领域,要求四氯化锗的纯度在6n及以上;在红外光学领域,例如红外光学镜头、军用红外夜视仪等领域,要求锗的纯度在6n及以上,而半导体领域要求锗的纯度在9n及以上;在核物理探测领域,要求锗的纯度达到13n。因此,高纯化是锗及其相关产业高质量发展的重要方向。
2、目前,锗的生产已拥有比较成熟的工艺。通过氯化蒸馏-精馏-水解-氢气还原等工序得到5n及以上的还原锗锭。目前,还原锗锭的提纯主要采用的是区熔熔炼法,主要采用水平区熔炉。但是现有区域熔炼法存在较多问题,如提纯周期长、能耗高、对原料要求较高、生产效率低等。专利号为cn116949301a的专利中提到了提纯方法中,区熔次数需要达到30次以上,区熔次数多,周期长达一个月以上;专利号为cn114635187a的专利中区熔原料为电子级多晶锗,原
...【技术保护点】
1.一种基于合金化区域熔炼-真空蒸馏联合制备高纯锗的方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的基于合金化区域熔炼-真空蒸馏联合制备高纯锗的方法,其特征在于,步骤S1中,所述硝酸为电子级纯硝酸;所述清洗的过程为采用去离子水浸泡并反复冲洗;所述干燥的过程为真空干燥或惰性气体鼓吹干燥。
3.根据权利要求1所述的基于合金化区域熔炼-真空蒸馏联合制备高纯锗的方法,其特征在于,步骤S1中,所述王水和氢氟酸的混合溶液中的王水和氢氟酸的体积比为4:0~1。
4.根据权利要求1所述的基于合金化区域熔炼-真空蒸馏联合制备高纯锗的方法,其
...【技术特征摘要】
1.一种基于合金化区域熔炼-真空蒸馏联合制备高纯锗的方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的基于合金化区域熔炼-真空蒸馏联合制备高纯锗的方法,其特征在于,步骤s1中,所述硝酸为电子级纯硝酸;所述清洗的过程为采用去离子水浸泡并反复冲洗;所述干燥的过程为真空干燥或惰性气体鼓吹干燥。
3.根据权利要求1所述的基于合金化区域熔炼-真空蒸馏联合制备高纯锗的方法,其特征在于,步骤s1中,所述王水和氢氟酸的混合溶液中的王水和氢氟酸的体积比为4:0~1。
4.根据权利要求1所述的基于合金化区域熔炼-真空蒸馏联合制备高纯锗的方法,其特征在于,步骤s1中,所述载料舟体为高纯石墨舟、高纯石英舟、镀膜石墨舟、镀膜石英舟中的任意一种,所述高纯容器和所述载料舟体的纯度均为5n以上。
5.根据权利要求1所述的基于合金化区域熔炼-真空蒸馏联合制备高纯锗的方法,其特征在于,步骤s2中,所述锗镁合金中的锗、镁的摩尔比为1:1.25~5。
6.根据权利要求5...
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