【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种led显示领域，特别地涉及一种微led(micro-led)显示单元、显示器及其制造方法。
技术介绍
1、micro led技术的寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度、分辨率等指标均好于目前的lcd以及oled，已经被许多厂商认为是下一代显示技术。然而，micro led的应用尚存在诸多问题亟待解决。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的技术问题，本专利技术提出了一种led显示单元，包括：衬底；衬底上的led区域，其包括led发光结构；以及衬底上的电路区域，其包括至少一个晶体管；其中，所述至少一个晶体管电连接到led发光结构。
2、如上所述的led显示单元，其中所述至少一个晶体管包括第一晶体管；第一晶体管的源极和漏极连接电源与led发光结构之间。
3、如上所述的一个或多个led显示单元，其中所述至少一个晶体管包括第二晶体管；其中，第二晶体管的栅极连接到行扫描信号，第二晶体管的源极和漏极连接在列扫描信号与led发光结构之间。
4、如上...
【技术保护点】
1.一种LED显示单元，包括：
2.根据权利要求1所述的LED显示单元，其中所述至少一个晶体管包括第一晶体管；第一晶体管的源极和漏极连接电源与LED发光结构之间。
3.根据权利要求1所述的LED显示单元，其中所述至少一个晶体管包括第二晶体管；其中，第二晶体管的栅极连接到行扫描信号，第二晶体管的源极和漏极连接在列扫描信号与LED发光结构之间。
4.根据权利要求1所述的LED显示单元，其中所述至少一个晶体管包括第一晶体管、第二晶体管和电容；第一晶体管的源极和漏极连接电源与LED发光结构之间；第二晶体管的栅极连接到行扫描信号，第二晶体管的...
【技术特征摘要】
1.一种led显示单元，包括：
2.根据权利要求1所述的led显示单元，其中所述至少一个晶体管包括第一晶体管；第一晶体管的源极和漏极连接电源与led发光结构之间。
3.根据权利要求1所述的led显示单元，其中所述至少一个晶体管包括第二晶体管；其中，第二晶体管的栅极连接到行扫描信号，第二晶体管的源极和漏极连接在列扫描信号与led发光结构之间。
4.根据权利要求1所述的led显示单元，其中所述至少一个晶体管包括第一晶体管、第二晶体管和电容；第一晶体管的源极和漏极连接电源与led发光结构之间；第二晶体管的栅极连接到行扫描信号，第二晶体管的源极连接到列扫描信号，第二晶体管的漏极连接到第一晶体管的栅极；电容连接在第二晶体管的栅极与电源之间。
5.根据权利要求1所述的led显示单元，其中led发光结构包括gan基led发光结构。
6.根据权利要求5所述的led显示单元，其中led发光结构包括重叠的电子传输层、辐射复合层和空穴传输层。
7.根据权利要求5所述的led显示单元，其中led发光结构包...
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