一种用于充电桩的掉电记忆电路及方法技术

技术编号:41663828 阅读:26 留言:0更新日期:2024-06-14 15:23
本发明专利技术公开了一种用于充电桩的掉电记忆电路及方法。所述电路由电源芯片、极性电容、二极管、单片机芯片、FLASH存储芯片、FRAM存储器、电能表组成。所述电源芯片输出正极分别连接二极管D1、极性电容C1、电能表、串行FLASH W25Q64的正极;二极管D1正极分别连接极性电容C2、处理器芯片GD32F407、FRAM存储器MB85RC16的正极;电源芯片、电能表、串行FLASH W25Q64、极性电容C1、极性电容C2、FRAM存储器MB85RC16、处理器芯片GD32F407的负极均接地。所述电路保证在充电桩掉电后,会产生一个电压跌落延时50ms,保证控制芯片将充电数据记录下来。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子设备控制,具体涉及了一种用于充电桩的掉电记忆电路及方法


技术介绍

1、充电桩是电动汽车的一种充电续航装置,该装置需要精确的记录充电过程中的电能数据。在一些特殊条件(如变压器异常、接线松动)下,正在充电中的充电桩会突然掉电,进而导致一次充电记录数据丢失。在此情况下,将会给运营商家带来经营损失。

2、专利号cn201810923985.3提出一种用于充电桩的掉电记忆方法,但是该方法需要一个专门电压采集芯片及相关电路采集系统电压值。


技术实现思路

1、为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种用于充电桩的掉电记忆电路及方法,在不增加电压检测芯片的前提下,依托于国产芯片gd32f407而实现。

2、为达到上述目的,本专利技术采用如下技术方案:

3、一种用于充电桩的掉电记忆电路,包括:电源芯片、极性电容c1、极性电容c2、二极管d1、芯片gd32f407(、串行flash w25q64、fram存储器mb85rc16、电能表;

4、其中,所述电源芯片输出本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于充电桩的掉电记忆电路,其特征在于,包括:电源芯片、极性电容C1、极性电容C2、二极管D1、处理器芯片GD32F407、串行FLASH W25Q64、FRAM存储器MB85RC16、电能表;

2.根据权利要求1所述的一种用于充电桩的掉电记忆电路,其特征在于,当电源芯片掉电后,所述极性电容C1向电能表提供延时电压。

3.根据权利要求1所述的一种用于充电桩的掉电记忆电路,其特征在于,所述极性电容C2用于所述电源芯片掉电后,为处理器芯片GD32F407提供延时电压,使得电压由3.3V缓慢降至1.8V,延时时间为50ms。

4.根据权利要求1所述的一...

【技术特征摘要】

1.一种用于充电桩的掉电记忆电路,其特征在于,包括:电源芯片、极性电容c1、极性电容c2、二极管d1、处理器芯片gd32f407、串行flash w25q64、fram存储器mb85rc16、电能表;

2.根据权利要求1所述的一种用于充电桩的掉电记忆电路,其特征在于,当电源芯片掉电后,所述极性电容c1向电能表提供延时电压。

3.根据权利要求1所述的一种用于充电桩的掉电记忆电路,其特征在于,所述极性电容c2用于所述电源芯片掉电后,为处理器芯片gd32f407提供延时电压,使得电压由3.3v缓慢降至1.8v,延时时间为50ms。

4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:张法瑞李玉泉徐飞史黎明李子欣高范强赵聪范满义李步云李耀华
申请(专利权)人:齐鲁中科电工先进电磁驱动技术研究院
类型:发明
国别省市:

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