【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁滞比较器领域,具体涉及一种宽输入电压范围的磁滞比较器。
技术介绍
1、磁滞比较器是在其电路中引入了磁滞效应。磁滞效应,简单来说,就是材料在磁化过程中,其磁化状态不仅依赖于当前的磁场强度,还受到之前磁化历史的影响,导致磁化曲线呈现滞后现象。
2、在磁滞比较器的应用中,这种特性被用来增强比较器的稳定性和抗干扰能力。通过引入磁滞,比较器在判定输入信号的状态变化时,不再仅仅依赖于瞬间的信号值,而是会考虑信号的变化趋势和历史状态,从而在一定程度上避免由于噪声或干扰导致的误判。
3、磁滞比较器在多个领域都有应用。例如,在电力电子和电机控制中,磁滞比较器可以用于实现精确的电压和电流比较,提高控制系统的稳定性和性能。此外,在传感器和信号处理领域,磁滞比较器也可以用来滤除噪声,提高信号的质量。此外,磁滞比较器还被用于磁性传感器的信号处理中,特别是在汽车应用中,如变速箱速度、轮速、凸轮轴速度等的检测。在这些应用中,磁滞比较器能够有效地抑制由于振动等外界干扰引起的噪声,保证输出信号的准确性,从而确保系统的可靠性。
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【技术保护点】
1.一种宽输入电压范围的磁滞比较器,其特征在于,包括启动模块、基准电流与偏置电压模块、输入阈值与磁滞电压模块和比较器模块,
2.根据权利要求1所述的宽输入电压范围的磁滞比较器,其特征在于:所述启动模块包括电流源I0、电阻R0、MOS管N0、MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、MOS管N4、MOS管N5和MOS管P0、MOS管P1、MOS管P2;
3.根据权利要求2所述的宽输入电压范围的磁滞比较器,其特征在于:所述基准电流与偏置电压模块包括相互电性连接的第一输出支路、第二输出支路、第三输出支路、第四输出支路、第五输出支路和第六输出支路;
...【技术特征摘要】
1.一种宽输入电压范围的磁滞比较器,其特征在于,包括启动模块、基准电流与偏置电压模块、输入阈值与磁滞电压模块和比较器模块,
2.根据权利要求1所述的宽输入电压范围的磁滞比较器,其特征在于:所述启动模块包括电流源i0、电阻r0、mos管n0、mos管n1、mos管n2、mos管n3、mos管n4、mos管n5和mos管p0、mos管p1、mos管p2;
3.根据权利要求2所述的宽输入电压范围的磁滞比较器,其特征在于:所述基准电流与偏置电压模块包括相互电性连接的第一输出支路、第二输出支路、第三输出支路、第四输出支路、第五输出支路和第六输出支路;
4.根据权利要求3所述的宽输入电压范围的磁滞比较器,其特征在于:所述第一输出支路包括mos管p7、mos管p8、mos管n8、电阻r3、电阻r4和电容c2;
5.根据权利要求4所述的宽输入电压范围的磁滞比较器,其特征在于:所述第四输出支路包括mos管p12、mos管p13、三极管q4、电阻r7和电容c4;
6.根据权利要求4所述的宽输入电压范围的磁滞比较器,其特征在于:所述输入阈值与磁滞电压模块包括mos管p18、mos管p19、mos管p20、mos管p21、mos管p22、mos管p27、mos管p2...
【专利技术属性】
技术研发人员:洪嘉栋,林纪豪,杨瑞聪,高耿辉,
申请(专利权)人:厦门元顺微电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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