基于MoS2-In2Se3异质结的多源信息探测器及制备方法技术

本发明专利技术公开了基于MoS<subgt;2</subgt;‑In<subgt;2</subgt;Se<subgt;3</subgt;异质结的多源信息探测器及制备方法，属于半导体器件领域。本发明专利技术的多源信息探测器包括：衬底、电极和异质结构，所述电极与异质结构位于所述衬底上表面，所述异质结构位于所述电极之间且两端与电极接触，所述异质结构为MoS<subgt;2</subgt;‑In<subgt;2</subgt;Se<subgt;3</subgt;垂直异质结，且提出了一种利用干法转移技术制备MoS<subgt;2</subgt;‑In<subgt;2</subgt;Se<subgt;3</subgt;异质结的方法，通过底部搭建In<subgt;2</subgt;Se<subgt;3</subgt;实现了底部栅极对In<subgt;2</subgt;Se<subgt;3</subgt;极化方向的控制，实现了对器件的多维调控方式，调控手段简单且有效，短暂的栅压即可切换极化方向实现暗电流的有效降低，且提高了对人体静电、震动探测的灵敏度，有利于推动二维异质结在多功能探测领域和半导体行业的发展。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基于mos2-in2se3异质结的多源信息探测器及制备方法，属于半导体器件领域。

技术介绍

1、当下探测器在科学、工程和
中具有极其重要的地位。它们扮演着收集、测量和记录信息的关键角色，推动了许多领域的研究和发展。然而目前的探测器大多只有单一功能，这些单功能探测器的主要局限性在于其专注于执行特定任务，缺乏多样性和适应性。这限制了其在面对不同或复杂的测量任务时的灵活性。单功能探测器设计用于解决特定问题，因此在其他领域或新任务上可能无法提供有效的解决方案。这种局限性可能导致在科学研究、工业应用或环境监测等需要多方面数据的场景中的不足。相反，多功能探测器具有同时或交替执行多项测量任务的能力，通过提供全面的数据集，增加适用性。这使得多功能探测器在科学研究、医学诊断、环境监测等领域中能够更全面、高效地应用。多功能探测器的优势在于其综合性能，能够满足不同应用场景对全面性和灵活性的需求。

2、一种可行的方法是使用二维材料作为探测器，使其具有处理各种信号的能力。二维材料具有极大的表面积，一些二维材料具有优异的电导性能，并且二维材料在单层形式本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多源信息探测器，包括：衬底、电极和异质结构，所述电极与异质结构位于所述衬底上表面，所述异质结构位于所述电极之间且两端与电极接触，其特征在于，所述异质结构为MoS2-In2Se3垂直异质结。

2.根据权利要求1所述的多源信息探测器，其特征在于，所述电极为铜镍电极。

3.根据权利要求1所述的多源信息探测器，其特征在于，所述衬底为硅基衬底。

4.一种多源信息探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅基衬底，清洗方法包括：

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种多源信息探测器，包括：衬底、电极和异质结构，所述电极与异质结构位于所述衬底上表面，所述异质结构位于所述电极之间且两端与电极接触，其特征在于，所述异质结构为mos2-in2se3垂直异质结。

2.根据权利要求1所述的多源信息探测器，其特征在于，所述电极为铜镍电极。

3.根据权利要求1所述的多源信息探测器，其特征在于，所述衬底为硅基衬底。

4.一种多源信息探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅基衬底，清洗方法包括：

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤5包括：采用电...

【专利技术属性】
技术研发人员：南海燕，王萌，邵枫，肖少庆，顾晓峰，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：