【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米集成电路抗多节点翻转之加固锁存器，尤其是任意四节点翻转完全自恢复的锁存器。
技术介绍
1、在纳米工艺下，晶体管特征尺寸的不断缩小使得集成电路对软错误的敏感性显着增加。软错误是指电路节点逻辑状态的翻转，而电路中器件本身并没有损坏。在航空航天等应用中，这些软错误主要来自辐射环境中的高能粒子，如中子、α粒子、质子、重离子和电子。近年来，空间辐射对航空航天等应用的影响得到了更广泛的讨论与研究。
2、在集成电路单元的抗辐射加固方面，研究人员更多关注存储单元、触发器和锁存器的设计。在纳米工艺下，未经加固设计的锁存器电路节点在辐射环境下极易发生单节点翻转、双节点翻转、三节点翻转、甚至是四节点翻转，给纳米级锁存器电路设计带来了严峻的挑战。近年来，提出的锁存器大部分仅能够抗单粒子翻转、双节点翻转，难以满足高可靠性需求，因此进行抗多节点翻转加固设计势在必行。
3、近年来，研究人员提出了一系列抗多节点翻转的锁存器设计，然而，这些锁存器设计仍然存在以下问题：一是锁存器不能实现双节点自恢复，即锁存器发生双节点翻转时，虽然...
【技术保护点】
1.一种基于互反馈C单元的四节点翻转自恢复锁存器，其特征在于：包括环形存储模块和八个传输门；所述环形存储模块由十六个三输入C单元组成，即第一C单元CE1、第二C单元CE2、第三C单元CE3、第四C单元CE4、第五C单元CE5、第六C单元CE6、第七C单元CE7、第八C单元CE8、第九C单元CE9、第十C单元CE10、第十一C单元CE11、第十二C单元CE12、第十三C单元CE13、第十四C单元CE14、第十五C单元CE15和第十六C单元CE16；所述八个传输门包括第一传输门TG1、第二传输门TG2、第三传输门TG3、第四传输门TG4、第五传输门TG5、第六传输门TG6...
【技术特征摘要】
1.一种基于互反馈c单元的四节点翻转自恢复锁存器，其特征在于：包括环形存储模块和八个传输门；所述环形存储模块由十六个三输入c单元组成，即第一c单元ce1、第二c单元ce2、第三c单元ce3、第四c单元ce4、第五c单元ce5、第六c单元ce6、第七c单元ce7、第八c单元ce8、第九c单元ce9、第十c单元ce10、第十一c单元ce11、第十二c单元ce12、第十三c单元ce13、第十四c单元ce14、第十五c单元ce15和第十六c单元ce16；所述八个传输门包括第一传输门tg1、第二传输门tg2、第三传输门tg3、第四传输门tg4、第五传输门tg5、第六传输门tg6、第七传输门tg7和第八传输门tg8；所述每个c单元设有三个输入端和一个输出端，其中，每个c单元的输出端向下一个c单元的任意一个输入端进行反馈，以此类推，形成闭循环。
2.根据权利要求1所述的任意四节点翻转完全自恢复的锁存器，其特征在于：所述第一c单元ce1的第一信号输入端与第十c单元ce10的输出端n10相连，第一c单元ce1的第二信号输入端与第六c单元ce6的输出端n6相连，第一c单元ce1的第三信号输入端与第十六c单元ce16的输出端n16相连，所述第一c单元ce1的输出端n1与第二c单元ce2的第三输入端相连；
3.根据权利要求1所述的基于互反馈c单元的四节点翻转自恢复锁存器，其特征在于：对于所述环形存储模块中每个c单元，若其下游第三个c单元、第七个c单元存在未被反馈的输入端，则每个c单元的输出端向这些被反馈的输入端进行反馈，直到所有c单元的所有输入端被反馈完毕，最终达成循环互锁。
4.根据权利要求1所述的基于互反馈c单元的四节点翻转自恢复锁存器，其特征在于：对于所述环形存储模块中每个c单元，若其下游第三个c单元、第九个c单元存在未被反馈的输入端，则每个c单元的输出端向这些被反馈的输入端进行反馈，直到所有c单元的所有输入端被反馈完毕，最终达成循环互锁。
5.根据权利要求1所述的基于互反馈c单元的四节点翻转自恢复锁存器，其特征在于：对于所述环形存储模块中每个c单元，若其下游第三个c单元、第十三个c单元存在未被反馈的输入端，则每个c单元的输出端向这些被反馈...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫爱斌，江王进，包晗，黄正峰，倪天明，崔杰，孟煦，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：
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