一种胍基卤化铅钙钛矿单晶的制备方法及其在光电探测器中的应用技术

一种胍基卤化铅钙钛矿单晶的制备方法及其在光电探测器中的应用，它涉及一种钙钛矿单晶的制备方法及其应用。本发明专利技术通过使用氨基胍阳离子(AG<supgt;+</supgt;)作为有机阳离子，获得了单晶光学带隙适合，光吸收系数较高的新型钙钛矿单晶材料，并将其运用在可见光探测领域。方法：一、制备前驱体溶液；二、制备钙钛矿单晶；三、清洗、干燥、抛光。一种胍基卤化铅钙钛矿单晶用于制备光电探测器。本发明专利技术制备的胍基卤化铅钙钛矿单晶具有优异的光吸收性能、高的载流子迁移率及载流子寿命、良好的结晶性和高的湿度、温度稳定性，良好的探测器光电响应性能；在制备技术上，制造成本低，生产工艺简单，降温析晶所需的温度较低，能耗低，对实验条件要求低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种钙钛矿单晶的制备方法及其应用。

技术介绍

1、光电探测器是现代成像和通信系统的重要组成部分，在现代工业生产、基础科学研究、太空开发、海洋探索、军事和国防、环境保护、医疗诊断、交通运输和其他领域发挥着越来越重要的作用。例如，紫外光电探测器可用于臭氧传感、火焰传感等；可见光电探测器可用于生物传感、视频成像和转换通信；红外光电探测器可以用于红外夜视；太赫兹光电探测器可用于海关、机场和其他特殊场合的安全检测。因此，对光电探测器的进一步研究具有重要意义。半导体材料对光电探测器至关重要，它可以吸收入射光子并产生光生载流子，在内置电场或外加电场的作用下，电极收集光生载流子产生电流信号。为了获得具有高灵敏度和快速响应的高性能光电探测器，半导体材料需要具有低缺陷态密度和高载流子迁移率，实现电荷的有效收集。

2、有机-无机卤化铅钙钛矿材料(如mapbi3、fapbi3等)因其具有可调带隙和长的载流子扩散长度等优点而在光电探测领域备受关注。然而三维(3d)钙钛矿材料在室温下存在严重的自发相变且在潮湿环境下不稳定，这阻碍了它们在大气环境中的实际应用。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种胍基卤化铅钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于所述制备方法具体是按以下步骤完成的：

2.根据权利要求1所述的一种胍基卤化铅钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于步骤一中所述的氢碘酸的质量分数为57％；步骤一中所述的次磷酸的质量分数为50％；步骤一中所述的氢碘酸和次磷酸的体积比为(3～5):1。

3.根据权利要求1所述的一种胍基卤化铅钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于步骤一中所述的氧化铅和氨基胍盐酸盐的摩尔比为1:2。

4.根据权利要求1所述的一种胍基卤化铅钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于步骤一中所述的前驱体溶液中氧化铅的浓度为0.05mol/L～1mol/...

【技术特征摘要】

1.一种胍基卤化铅钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于所述制备方法具体是按以下步骤完成的：

2.根据权利要求1所述的一种胍基卤化铅钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于步骤一中所述的氢碘酸的质量分数为57％；步骤一中所述的次磷酸的质量分数为50％；步骤一中所述的氢碘酸和次磷酸的体积比为(3～5):1。

3.根据权利要求1所述的一种胍基卤化铅钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于步骤一中所述的氧化铅和氨基胍盐酸盐的摩尔比为1:2。

4.根据权利要求1所述的一种胍基卤化铅钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于步骤一中所述的前驱体溶液中氧化铅的浓度为0.05mol/l～1mol/l。

5.根据权利要求1所述的一种胍基卤化铅钙钛矿单晶的制备方法，其特征在于步骤一中所述的加热搅拌的温度为50～90℃，加热搅拌的时间为60min～120min，加热搅拌的转速为1000r/min～3000r/min。

6....

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宏剑，郭宁杰，张璐迪，陈若同，
申请(专利权)人：西北大学，
类型：发明
国别省市：