一种晶体的仿自然制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体的仿自然制备方法，仿钟乳石形成过程制备晶体的方法。晶体的供给源与生长地处于不同的位置，将供给源输送到生长地，不需要气化或熔融处理即生成晶体。本发明专利技术方法通过调节供给源与生长地的相对距离，滴加时间，制备出各种形状和大小的晶体；既可以制备单晶，也可以制备复合晶体；具有设备简单、操作方便、工艺条件简单、生产成本低的优点。

Method for imitating natural preparation of crystal

The present invention discloses a crystal nature imitated preparation method, preparation method of imitation stalactites formed crystals. The supply source of the crystal is in a different position with the growth place, and the supply source is conveyed to the growth ground without the need of gasification or melting treatment to produce the crystal. The method of the invention by the relative distance adjusting supply and growth, dropping time, preparation of various shapes and sizes of crystals; both single crystal preparation, also can prepare the composite crystal; has the advantages of simple equipment, convenient operation, simple process and low production cost.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体材料领域，具体涉及。
技术介绍
目前晶体的制备方法主要有熔体生长法(提拉法、坩埚下降法、区熔法、焰熔法)， 溶液生长法(水溶液法、水热法、助熔剂法)，气相沉积法，外延生长法等。这些方 法中除了焰熔法和气相沉积法之外，晶体的生长地与供给源都处于同一位置，生长地 与供给源的工艺参数和条件很难进行单独控制，并且这些方法所制备的晶体，其形状和性 能均比较单一，难以制备各种形状、大小和性能的晶体，更难制备复合晶体及大体积的晶 体。例如专利申请硫化钠晶体的制备方法(CN02103039. 1)、硼磷酸钠晶体的熔体生 长法(CN01139848.5)、氧化介电薄膜的气相生长方法(CN03122435.0)、固体 熔剂外延生长法(CN200580009225.2)等。另外，虽然焰熔法和气相沉积法的生长地与 供给源处于不同的位置，其工艺参数和条件可以分别进行单独控制，但供给源需高温加热 气化和熔融(加热温度一般高达100(TC以上)或高真空，需消耗大量的能源。并且其设备 要求高，工艺条件苛刻(如高温、高真空)，操作困难，生产成本高。如专利氧化介电 薄膜的气相生长方法(CN03122435.0)、一种可控气氛焰熔法制备金红石晶体的工艺 及装置(CN200410021398.3)等。因此，开发一种设备简单、操作方便、工艺条件简单、 生产成本低、晶体的形状和大小易于控制的能够制备大体积晶体材料的方法具有重要的社 会经济意义。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供，仿 照钟乳石的形成过程制备晶体，本专利技术方法的晶体的生长地和供给源处于不同位置，设备 要求低、工艺条件简单、操作方便、生产成本低、可以制备各种形状的大体积的晶体材料。本专利技术的目的通过如下技术方案实现将供给源溶于液体溶剂中配制成溶液，把该溶液输送到晶体生长地上，通过调节、控 制供给源溶液与晶体生长地的各工艺参数和条件(含供给源与生长地的相对位置)，制备晶 体材料。，将原料溶于溶剂中配制成溶液，将溶液滴加到基体上， 制备得到晶体。，具体包括以下步骤(4) 在一定温度的溶剂中加入一种或多种原料配制成溶液；(5) 将基体置于恒温装置中，恒定温度在15 3(TC;(6) 将步骤(1)的溶液滴加到基体上，得到晶体。 所述的原料为可溶性盐类。所述的原料为可溶性无机盐。制备复合晶体时，要求加入的原料之间不反应。 所述的一定温度高于恒定温度。只要保证一定温度高于恒定温度即可。 所述的溶液为饱和溶液或过饱和溶液。所述的基体与溶液中溶质相同，当溶质为多种时，基体为溶质中的任意一种。 所述的溶剂为无机或有机溶剂。包括水，乙醇。 本专利技术相对于现有技术的优点及有益效果在于1、 晶体的供给源与生长地处于不同的位置，供给源与生长地的各工艺参数和条件可以 分别进行单独控制，易于制备各种性能的晶体；制备大体积的晶体。如果延长滴定时间， 晶体可以继续长大，直到需要的尺寸。2、 不需要气化或熔融处理。3、 通过调节供给源与生长地的相对位置，容易制备出各种形状和大小的晶体。可以将 基体放入模具中，使晶体生长成需要的形状。4、 既可以制备单晶也可以制备复合晶体。5、 设备简单、操作方便、工艺条件简单、生产成本低。 具体实施例方式下面结合实施例，对本专利技术做进一步的详细说明 实施例11，在一个烧杯中加入500克去离子水置于4(TC水浴锅中；2，在此烧杯内加入1.5mol的碳酸氢钙，搅拌直至不再溶解，取上清液得到碳酸氢钙饱 和溶液。3，将碳酸氢钙(化学试剂)配成饱和溶液，通过溶液搅拌蒸发结晶得到碳酸氢钙晶体 (基体)，大小为5mmX5mmX2mm，将基体置于另一个水浴中，将其温度恒定于15。C;4，将步骤2得到的溶液以lml/min的速度滴加到基体上即制得碳酸氢钙晶体。供给源距基体4cm ，经过8小时的滴定，碳酸氢钙基体长大为8mmX8mraX10mm的大体积单晶体。 实施例21，在一个烧杯中加入400克去离子水置于80。C水浴锅中；2，在此烧杯内加入1.2mol的磷酸二氢钾，搅拌直至完全溶解，然后再加入lmol的磷酸 二氢铵，搅拌，得到磷酸二氢钾、磷酸二氢铵的混合溶液。在室温下将混合溶液冷却至60 'C获得过饱和溶液。3，将磷酸二氢钾(化学试剂)配成饱和溶液，通过溶液搅拌蒸发结晶得到磷酸二氢钾 晶体(基体)，大小为5咖X5mmX3mm，将基体置于另一个水浴中，将其温度恒定于3(TC;4，将步骤2得到的溶液以0.5ml/niin的速度滴加到基体上即制得磷酸二氢钾、磷酸二氢 铵复合晶体。滴定源距基体6cm，经过13小时的滴定，晶体长大为10mmX10咖X15咖的大体 积的长方体复合晶体。 实施例31，在一个烧杯中加入600克去离子水置于5(TC水浴锅中；2，在此烧杯内加入3.5mol的氯化钠，搅拌直至完全溶解，然后再加入4mol的氯化钙， 搅拌，得到氯化钠、氯化钙的混合饱和溶液；3，将氯化钠(化学试剂)配成饱和溶液，通过溶液搅拌蒸发结晶得到氯化钠晶体(基 体)，大小为8咖X8鹏X3咖，将基体置于另一个水浴中，将其温度恒定于20。C;4，将上述溶液以1.5ml/miri的速度滴加到基体上即制得氯化钠、氯化钙复合晶体。滴 定源距基体5cm，经过6小时的滴定，晶体长大为15mmX15腿X15mm的正方体复合晶体。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体的仿自然制备方法，其特征在于，将原料溶于溶剂中配制成溶液，将溶液滴加到基体上，制备得到晶体。

【技术特征摘要】
1、一种晶体的仿自然制备方法，其特征在于，将原料溶于溶剂中配制成溶液，将溶液滴加到基体上，制备得到晶体。2、 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步骤(1) 在一定温度的溶剂中加入一种或多种原料配成溶液；(2) 将基体置于恒温装置中，恒定温度在15 30。C;(3) 将步骤(1)的溶液滴加到基体上，得到晶体。3、 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的原料为可溶性盐类。4、 根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：税安泽，许林峰，龚晖，王慧，程小苏，刘平安，王燕民，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]